臺積電于美西時間4月23日在美國加州圣塔克拉拉市舉辦2025年北美技術(shù)論壇，揭示了下一代先進(jìn)邏輯制程技術(shù)A14。據(jù)臺積電透露，A14基于N2制程技術(shù)的重大突破，將顯著提升運算速度與能源效率，為人工智能（AI）和高性能運算（HPC）領(lǐng)域提供強有力支持。此外，A14還將增強智能手機的裝置端AI功能，進(jìn)一步提升智能化水平。
據(jù)悉，A14制程技術(shù)預(yù)計于2028年投入生產(chǎn)，目前開發(fā)進(jìn)展順利，良率表現(xiàn)優(yōu)于預(yù)期。與計劃于2025年下半年量產(chǎn)的N2制程相比，A14在相同功耗下速度提升15%，或在相同速度下功率降低30%，同時邏輯密度增加超過20%。臺積電還將其TSMC NanoFlex標(biāo)準(zhǔn)單元架構(gòu)升級為NanoFlex Pro，進(jìn)一步優(yōu)化性能、能源效率和設(shè)計靈活性。
臺積電董事長魏哲家表示，客戶對未來充滿期待，而臺積電的技術(shù)和制造能力提供了可靠的創(chuàng)新藍(lán)圖。A14等先進(jìn)邏輯技術(shù)是連接物理世界與數(shù)字世界的重要解決方案，助力客戶推動AI未來。
除了A14，臺積電還推出了多項新技術(shù)，涵蓋邏輯制程、特殊制程、先進(jìn)封裝和3D芯片堆疊等領(lǐng)域，為HPC、智能手機、汽車和物聯(lián)網(wǎng)（IoT）平臺提供支持。例如，在HPC領(lǐng)域，臺積電計劃于2027年量產(chǎn)9.5倍光罩尺寸的CoWoS技術(shù)，支持12個或更多高帶寬存儲器（HBM）堆疊封裝。同時，基于CoWoS技術(shù)的SoW-X晶圓尺寸系統(tǒng)也將于2027年量產(chǎn)，其運算能力是當(dāng)前CoWoS解決方案的40倍。
在智能手機領(lǐng)域，臺積電發(fā)布了新一代射頻技術(shù)N4C RF，與N6RF+相比，可實現(xiàn)30%的功率和面積縮減，滿足Wi-Fi 8和真無線立體聲等新興標(biāo)準(zhǔn)需求。該技術(shù)計劃于2026年第一季度進(jìn)入試產(chǎn)。
針對車用市場，臺積電的N3A制程技術(shù)正在AEC-Q100第一級驗證的最后階段，未來將為軟件定義汽車提供支持。而在物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域，臺積電通過超低功耗N6e和正在開發(fā)的N4e制程，持續(xù)推動邊緣AI的能源效率極限。

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