復旦大學的研究團隊成功開發(fā)出一款名為“PoX”的超快速非易失性存儲器，其寫入速度高達400皮秒，為閃存技術樹立了新標桿。這一存儲器能夠在萬億分之一秒內完成數(shù)據(jù)讀寫，速度遠超傳統(tǒng)存儲設備。
傳統(tǒng)的靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）和動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）寫入時間通常在1至10納秒之間，但它們是易失性存儲器，斷電后數(shù)據(jù)會丟失。而像固態(tài)硬盤（SSD）和USB閃存驅動器中的非易失性存儲器，雖然能在斷電后保留數(shù)據(jù)，但速度較慢，通常需要微秒到毫秒的時間。這種速度限制使其在現(xiàn)代人工智能（AI）系統(tǒng)中難以適用，因為AI系統(tǒng)需要實時處理大量數(shù)據(jù)。
PoX作為一種非易失性存儲器，不僅能在斷電時保留數(shù)據(jù)，還具備極低的能耗和超快的寫入速度，有望解決AI硬件中的存儲瓶頸問題。目前，AI硬件的大部分能耗都用于移動數(shù)據(jù)，而非處理數(shù)據(jù)。
復旦大學的周鵬教授及其團隊通過重新設計閃存結構，用二維狄拉克石墨烯取代傳統(tǒng)硅材料，實現(xiàn)了電荷向存儲層的極快流動，有效規(guī)避了傳統(tǒng)存儲器的速度限制。周鵬在接受新華社采訪時表示：“通過使用人工智能算法優(yōu)化工藝測試條件，我們在這一創(chuàng)新方面取得了顯著進展。”
研究團隊已與制造合作伙伴緊密合作，完成了芯片的流片驗證，并取得了令人鼓舞的初步結果。復旦大學集成電路與系統(tǒng)國家重點實驗室的劉春森研究員表示：“我們現(xiàn)在能夠制造出小規(guī)模、功能完備的芯片。下一步是將其集成到現(xiàn)有的智能手機和電腦中。”
PoX芯片不僅打破了高速與非易失性無法兼得的限制，還為AI運算升級提供了可能。其極低能耗與驚人速度能大幅減少AI運算中數(shù)據(jù)搬移產生的延遲與能源浪費，對AI芯片、機器學習與自動駕駛汽車系統(tǒng)等應用尤為重要。

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