據(jù)報(bào)道，英特爾計(jì)劃在2025年VLSI研討會(huì)上詳細(xì)介紹其Intel 18A制造技術(shù)（相當(dāng)于1.8nm工藝）。這一技術(shù)相較于Intel 3（7nm工藝）在功耗、性能和面積（PPA）指標(biāo)上實(shí)現(xiàn)了顯著提升，為客戶端和數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品帶來(lái)實(shí)際優(yōu)勢(shì)。
Intel 18A是英特爾首個(gè)采用環(huán)繞柵極（GAA）RibbonFET晶體管和PowerVia背面供電網(wǎng)絡(luò)（BSPDN）的節(jié)點(diǎn)。在相同電壓（1.1V）和復(fù)雜度下，Intel 18A相比Intel 3工藝性能提升了25%；在相同頻率和1.1V電壓下，功耗降低36%。而在較低電壓（0.75V）下，性能提升18%，功耗降低38%。此外，Intel 18A工藝的面積縮小率達(dá)到0.72倍。
標(biāo)準(zhǔn)單元布局的優(yōu)化進(jìn)一步凸顯了Intel 18A的進(jìn)步。高性能庫(kù)中的單元高度從240CH降至180CH，高密度庫(kù)中的單元高度從210CH降至160CH，垂直尺寸減少約25%。更緊湊的單元架構(gòu)不僅提升了晶體管密度，還提高了面積效率。PowerVia BSPDN的引入通過(guò)從芯片正面卸載電源線，釋放信號(hào)布線空間，進(jìn)一步優(yōu)化布局。
英特爾預(yù)計(jì)在2025年晚些時(shí)候?yàn)榭蛻舳薖C處理器“Panther Lake”量產(chǎn)芯片，并于2026年初為Clearwater Forest數(shù)據(jù)中心系統(tǒng)提供芯片。此外，2025年中期將完成首批第三方Intel 18A芯片設(shè)計(jì)的流片。據(jù)悉，英特爾、Alphawave Semi、蘋(píng)果和英偉達(dá)的工程師共同撰寫(xiě)了一篇關(guān)于使用Intel 18A工藝實(shí)現(xiàn)PAM-4發(fā)射器的論文，表明這些公司對(duì)該技術(shù)表現(xiàn)出興趣。

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