據報道，英特爾計劃在2025年VLSI研討會上詳細介紹其Intel 18A制造技術（相當于1.8nm工藝）。這一技術相較于Intel 3（7nm工藝）在功耗、性能和面積（PPA）指標上實現了顯著提升，為客戶端和數據中心產品帶來實際優勢。
Intel 18A是英特爾首個采用環繞柵極（GAA）RibbonFET晶體管和PowerVia背面供電網絡（BSPDN）的節點。在相同電壓（1.1V）和復雜度下，Intel 18A相比Intel 3工藝性能提升了25%；在相同頻率和1.1V電壓下，功耗降低36%。而在較低電壓（0.75V）下，性能提升18%，功耗降低38%。此外，Intel 18A工藝的面積縮小率達到0.72倍。
標準單元布局的優化進一步凸顯了Intel 18A的進步。高性能庫中的單元高度從240CH降至180CH，高密度庫中的單元高度從210CH降至160CH，垂直尺寸減少約25%。更緊湊的單元架構不僅提升了晶體管密度，還提高了面積效率。PowerVia BSPDN的引入通過從芯片正面卸載電源線，釋放信號布線空間，進一步優化布局。
英特爾預計在2025年晚些時候為客戶端PC處理器“Panther Lake”量產芯片，并于2026年初為Clearwater Forest數據中心系統提供芯片。此外，2025年中期將完成首批第三方Intel 18A芯片設計的流片。據悉，英特爾、Alphawave Semi、蘋果和英偉達的工程師共同撰寫了一篇關于使用Intel 18A工藝實現PAM-4發射器的論文，表明這些公司對該技術表現出興趣。

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