據《經濟日報》報道，中國電機工程學會電力系統電力電子器件專委會主任委員邱宇峰指出，碳化硅作為第三代半導體材料，取代傳統硅基材料是行業發展的必然趨勢。碳化硅的應用將呈現兩波浪潮，第一波集中在電動汽車領域，第二波則聚焦于電網領域。未來，碳化硅在電網中的需求量有望比肩新能源汽車市場。
國家電網中國電力科學研究院電力電子所副總工程師楊霏表示，目前碳化硅器件在電網中的應用仍處于示范階段，但其對新能源汽車和智能電網的滲透率正在逐步提升。隨著分布式電源進入配網并形成有源配網，電力電子技術將成為新型電力系統的剛需。一旦形成剛需，電網對碳化硅器件的需求量將呈現數量級增長。
萬伏千安級碳化硅器件的研發正在加速推進，預計在未來幾年內實現樣品研制并逐步進入商業化批量應用。屆時，國產碳化硅器件有望全面覆蓋高壓輸電領域，推動新型電力系統建設。
天岳先進在碳化硅領域取得重要突破。據天岳先進介紹，基于量產的n型碳化硅襯底制備的單極型MOSFET器件，主要應用于600-1200V的中壓場景。而對于特高壓系統10kV以上的耐壓需求，p型碳化硅襯底制備的雙極型IGBT器件展現出巨大潛力。基于p型襯底的SiC IGBT模塊不僅可減少50%的串聯器件數量，還能降低換流閥損耗40%以上，單條特高壓直流線路年節電量可超1億度。
目前，我國在n型碳化硅襯底領域已取得重要進展，但p型襯底因技術門檻較高，仍處于產業化初期階段。在SEMICON China2025展會上，天岳先進展示了6/8/12英寸碳化硅襯底產品矩陣，包括12英寸高純半絕緣型、導電p型及導電n型碳化硅襯底。

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