近日，有消息傳出，國內(nèi)已將目光瞄準(zhǔn)高帶寬存儲器（HBM）領(lǐng)域。長鑫存儲計劃在2026年量產(chǎn)HBM3，隨后于2027年生產(chǎn)HBM3E；而以生產(chǎn)NAND Flash為主的長江存儲，也準(zhǔn)備通過子公司進(jìn)軍HBM市場。這預(yù)示著在不久的將來，中國企業(yè)將與三星電子、SK海力士等巨頭正面交鋒。據(jù)韓媒Newdaily援引業(yè)界消息，長鑫存儲目前正全力投入HBM3的開發(fā)工作。中國在存儲器領(lǐng)域的快速發(fā)展，尤其是在HBM方面的發(fā)力，讓韓國部分人士擔(dān)憂，當(dāng)年LCD產(chǎn)業(yè)被中國趕超的局面是否會在存儲器領(lǐng)域重演。韓國業(yè)界預(yù)測，中國存儲器企業(yè)將在兩年內(nèi)量產(chǎn)第五代HBM3E產(chǎn)品。相關(guān)數(shù)據(jù)顯示，2024年三星和SK海力士的DDR4市場占比約為30%，但到2025年這一比例已迅速降至個位數(shù)，不少企業(yè)計劃在2025年底前停止DDR4生產(chǎn)。這意味著在短短一兩年間，中國在DDR4市場已成功搶占先機(jī)。隨著AI市場的迅速擴(kuò)張，三星和SK海力士等韓企將重點(diǎn)轉(zhuǎn)向HBM等高附加值的高性能存儲器，試圖以此作為新的利潤增長點(diǎn)。但如今，中國企業(yè)也加快腳步進(jìn)入HBM市場，這無疑加劇了韓國半導(dǎo)體企業(yè)的危機(jī)感。韓國現(xiàn)代汽車證券報告指出，中國DRAM企業(yè)正在開發(fā)HBM3和HBM2E，預(yù)計未來兩到三年內(nèi)，中國生產(chǎn)的HBM有望應(yīng)用于華為昇騰系列產(chǎn)品。目前，長鑫存儲是國內(nèi)為數(shù)不多具備HBM生產(chǎn)潛力的企業(yè)，不過也有觀察人士認(rèn)為，以生產(chǎn)NAND為主的長江存儲可能通過子公司武漢新芯加速進(jìn)入HBM市場，因?yàn)槲錆h新芯據(jù)傳擁有HBM量產(chǎn)所需的矽穿孔（TSV）設(shè)備，有望借助這些設(shè)備開展HBM的生產(chǎn)研發(fā)工作。I9G28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com
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