據(jù)媒體報(bào)道，三星電子近期啟動(dòng)了1nm晶圓代工工藝的研發(fā)工作。由于在即將量產(chǎn)的2nm工藝上與臺(tái)積電存在明顯差距，三星希望通過加快1nm級(jí)工藝的開發(fā)，爭(zhēng)取在未來實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破。
據(jù)9日業(yè)界消息，三星電子半導(dǎo)體研究所已組建了一支專門團(tuán)隊(duì)，負(fù)責(zé)1nm工藝的開發(fā)工作。團(tuán)隊(duì)成員主要由參與2nm等前沿工藝研發(fā)的研究員組成。根據(jù)三星此前公布的晶圓代工路線圖，其計(jì)劃在2027年量產(chǎn)的1.4nm工藝目前被視為最尖端技術(shù)。
1nm工藝的研發(fā)面臨諸多挑戰(zhàn)，包括需要突破現(xiàn)有設(shè)計(jì)框架的技術(shù)創(chuàng)新，以及引入高數(shù)值孔徑極紫外光（High-NA EUV）光刻機(jī)等下一代設(shè)備。據(jù)透露，三星將1nm工藝的量產(chǎn)時(shí)間定在2029年之后。
在3nm和2nm領(lǐng)域，三星的技術(shù)水平與臺(tái)積電仍有差距。特別是在2nm工藝上，臺(tái)積電的良率已超過60%，而三星則相對(duì)落后。這一差距促使三星提前布局1nm工藝的研發(fā)。
與此同時(shí)，臺(tái)積電也在加速推進(jìn)1nm級(jí)工藝的開發(fā)。據(jù)臺(tái)積電去年4月透露，公司計(jì)劃在2026年下半年開始生產(chǎn)介于1.4nm和2nm之間的1.6nm（16A）技術(shù)，以滿足人工智能（AI）半導(dǎo)體市場(chǎng)的需求，并為下一代工藝奠定基礎(chǔ)。

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