元腦服務(wù)器近期宣布全面采用氮化鎵（GaN）鈦金電源，提供1300W、1600W和2000W多種規(guī)格，以滿足數(shù)據(jù)中心復(fù)雜能源架構(gòu)的需求。
在數(shù)據(jù)中心的能源分配中，電源是將外部電能精準(zhǔn)傳輸給各類IT設(shè)備的核心環(huán)節(jié)。盡管新型供電架構(gòu)如HVDC高壓直流和固態(tài)變壓器（SST）通過(guò)減少配電層級(jí)損耗，已將系統(tǒng)級(jí)能效提升至96%-98%，但傳統(tǒng)鉑金電源的能效短板問(wèn)題日益凸顯。據(jù)元腦服務(wù)器介紹，在智算中心主流的20%-50%負(fù)載區(qū)間，鉑金電源的轉(zhuǎn)換效率僅為90%-94%，與系統(tǒng)能效形成4%-8%的差距。這種“高系統(tǒng)能效、低設(shè)備能效”的斷層導(dǎo)致高達(dá)10%的電能損耗。以一座10MW智算中心為例，每年浪費(fèi)的電量超過(guò)900萬(wàn)度，而每提升1%的能效即可節(jié)省百萬(wàn)級(jí)電費(fèi)支出。
元腦服務(wù)器的氮化鎵鈦金電源方案與傳統(tǒng)鉑金電源存在顯著差異。傳統(tǒng)鉑金電源依賴MOSFET器件，受限于材料物理特性，存在高頻開(kāi)關(guān)損耗和發(fā)熱問(wèn)題。相比之下，氮化鎵材料具備明顯優(yōu)勢(shì)，其電子遷移率是硅的10倍，支持MHz級(jí)高頻開(kāi)關(guān)，可降低動(dòng)態(tài)損耗70%；在相同功率下，其導(dǎo)通電阻僅為硅基器件的1/5，發(fā)熱量減少50%；擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)3.3MV/cm，耐高壓耐高溫特性優(yōu)異，可消除多級(jí)轉(zhuǎn)換損耗。
圖源：元腦服務(wù)器

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