4月2日，創意電子宣布成功完成HBM4控制器與PHY IP的投片，成為全球首家達成此成就的公司。據官方數據，該IP支持高達12Gbps的數據傳輸速率，并在所有sign-off PVT條件下保持高總線利用率。創意電子采用臺積電最先進的N3P制程技術，并結合CoWoS?-R先進封裝技術。
HBM4 IP在設計上具備多項亮點，包括創新的中介層布局設計，確保在各類CoWoS技術下實現最佳信號完整性（SI）與電源完整性（PI）。此外，HBM4 PHY相比HBM3實現了2.5倍的帶寬提升，功耗效率提升1.5倍，面積效率提升2倍。內建的實時I/O及clock能效監測電路由proteanTeds提供，進一步增強了其性能表現。
創意電子總經理戴尚義表示，公司通過整合HBM4、UCIe-A與UCIe-3D IP，為半導體產業提供全面性解決方案，以滿足市場對高性能內存的持續需求。隨著AI大模型訓練、數據中心加速等應用快速發展，HBM技術成為解決“內存墻”瓶頸的關鍵。據TrendForce集邦咨詢數據顯示，2024年HBM需求位元年成長率接近200%，2025年將再翻倍。
HBM4的研發涉及代工廠、存儲廠商與IP設計公司的緊密合作。創意電子基于臺積電N3P制程技術打造的HBM4 IP，性能與能效相比N3E進一步優化。CoWoS-R封裝技術已被廣泛應用于高端GPU與AI芯片，如NVIDIA的H100/B100及AMD的Instinct MI300系列。目前，Synopsys、Cadence等EDA廠商已推出HBM4 IP驗證工具，但完整方案仍由少數廠商提供。存儲廠商如SK海力士與三星計劃在2026年量產HBM4芯片，創意電子此次投片標志著IP設計環節的提前就緒。

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