據(jù)韓媒《產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)》援引半導(dǎo)體業(yè)界消息，三星電子的12層HBM3E存儲(chǔ)器在3月底進(jìn)入重新設(shè)計(jì)階段，預(yù)計(jì)將在5月中旬或5月底再次接受NVIDIA的品質(zhì)測(cè)試。這一消息引發(fā)業(yè)界廣泛關(guān)注。
三星此前曾向NVIDIA提供12層HBM3E樣品，但因未能達(dá)到客戶要求，產(chǎn)品從“預(yù)量產(chǎn)”（PRA）階段退回至客戶樣品（CS）階段。據(jù)韓國(guó)業(yè)界人士透露，重新設(shè)計(jì)通常需要約2個(gè)月時(shí)間，此次改進(jìn)主要集中在矽穿孔（TSV）制程等方面。盡管外界曾猜測(cè)“發(fā)熱”是導(dǎo)致測(cè)試未通過的主要原因，但三星技術(shù)相關(guān)人士否認(rèn)了這一說法，暗示設(shè)計(jì)問題才是關(guān)鍵。
三星半導(dǎo)體暨裝置解決方案（DS）部門負(fù)責(zé)人全永鉉在3月的股東大會(huì)上表示，公司正積極回應(yīng)客戶反饋，并預(yù)計(jì)這些改進(jìn)成果將在2025年第2季或下半年顯現(xiàn)。他還強(qiáng)調(diào)，12層HBM3E將在未來市場(chǎng)中扮演重要角色。
目前，三星尚未對(duì)具體細(xì)節(jié)作出進(jìn)一步說明。若此次重新設(shè)計(jì)成功，產(chǎn)品有望在2025年第1季完成品質(zhì)測(cè)試，為市場(chǎng)帶來新的競(jìng)爭(zhēng)動(dòng)力。

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