近日，九峰山實驗室科研團隊宣布在全球首次成功制備8英寸硅基氮極性氮化鎵（N - polar GaNOI）高電子遷移率材料。據九峰山實驗室官微消息，這一成果將推動射頻前端等系統級芯片在頻率、效率和集成度等方面實現跨越式提升，為下一代通信、自動駕駛、雷達探測以及微波能量傳輸等前沿技術的發展提供有力支持。
該技術成果打破了國際技術壟斷，實現了全球首次在8英寸硅襯底上制備氮極性氮化鎵高電子遷移率功能材料（N - polar GaNOI）。其主要突破體現在三個方面：首先是成本控制，采用硅基襯底，兼容8英寸主流半導體產線設備，并深度集成硅基CMOS工藝，能夠快速適配量產工藝；其次是材料性能的提升，材料性能與可靠性兼備；最后是良率的提升，鍵合界面良率超過99%。這些突破為該材料的大規模產業化奠定了重要基礎。
氮極性氮化鎵材料在高頻段（如毫米波頻段）表現出色，這對需要高頻操作的領域至關重要。5G/6G通信、衛星通信、雷達系統等領域均有望從中受益。一旦突破量產技術臨界點，氮極性氮化鎵材料將在這些領域開辟新的應用場景，對產業發展起到革新性推動作用，因此成為國際科研界爭相深入探索的焦點材料。

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