近日，九峰山實(shí)驗(yàn)室科研團(tuán)隊(duì)宣布在全球首次成功制備8英寸硅基氮極性氮化鎵（N - polar GaNOI）高電子遷移率材料。據(jù)九峰山實(shí)驗(yàn)室官微消息，這一成果將推動(dòng)射頻前端等系統(tǒng)級(jí)芯片在頻率、效率和集成度等方面實(shí)現(xiàn)跨越式提升，為下一代通信、自動(dòng)駕駛、雷達(dá)探測(cè)以及微波能量傳輸?shù)惹把丶夹g(shù)的發(fā)展提供有力支持。
該技術(shù)成果打破了國(guó)際技術(shù)壟斷，實(shí)現(xiàn)了全球首次在8英寸硅襯底上制備氮極性氮化鎵高電子遷移率功能材料（N - polar GaNOI）。其主要突破體現(xiàn)在三個(gè)方面：首先是成本控制，采用硅基襯底，兼容8英寸主流半導(dǎo)體產(chǎn)線(xiàn)設(shè)備，并深度集成硅基CMOS工藝，能夠快速適配量產(chǎn)工藝；其次是材料性能的提升，材料性能與可靠性兼?zhèn)洌蛔詈笫橇悸实奶嵘I合界面良率超過(guò)99%。這些突破為該材料的大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化奠定了重要基礎(chǔ)。
氮極性氮化鎵材料在高頻段（如毫米波頻段）表現(xiàn)出色，這對(duì)需要高頻操作的領(lǐng)域至關(guān)重要。5G/6G通信、衛(wèi)星通信、雷達(dá)系統(tǒng)等領(lǐng)域均有望從中受益。一旦突破量產(chǎn)技術(shù)臨界點(diǎn)，氮極性氮化鎵材料將在這些領(lǐng)域開(kāi)辟新的應(yīng)用場(chǎng)景，對(duì)產(chǎn)業(yè)發(fā)展起到革新性推動(dòng)作用，因此成為國(guó)際科研界爭(zhēng)相深入探索的焦點(diǎn)材料。

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