在上海國家會展中心舉行的2025中國國際半導體設(shè)備和材料展（SEMICON China 2025）上，深圳新凱來工業(yè)機器有限公司（SiCarrier，以下簡稱“新凱來”）成為全場焦點。新凱來通過照片和模型的方式展示了其多款產(chǎn)品，其中最受關(guān)注的五大核心設(shè)備，均以中國名山命名，技術(shù)對標國際頂尖水平。包括：- 外延沉積設(shè)備EPI“峨眉山”：專攻第三代半導體（SiC、GaN）材料，支持1200V-6500V高壓芯片制造，與深圳第三代半導體創(chuàng)新中心中試線協(xié)同驗證；EPI外延層是半導體制造中的重要技術(shù)。
- 刻蝕設(shè)備ETCH“武夷山”：搭載自研靜電卡盤專利（CN119069414A），表面電荷釋放速度提升40%，良率顯著提升；ETCH蝕刻是半導體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一道相當重要的步驟。
- 薄膜沉積設(shè)備CVD“長白山”：集成反射結(jié)構(gòu)專利（CN119620268A），體積縮小30%的同時效率提升，已通過ISO 9001認證；CVD化學氣相沉積是半導體制造中需求量最大的設(shè)備之一。
- 物理氣相沉積設(shè)備PVD“普陀山”：適配12英寸晶圓，定位精度達±1.3μm，性能對標國際主流。
- 原子層沉積設(shè)備ALD“阿里山”：支持7nm以下先進制程，已通過中芯國際（深圳）產(chǎn)線驗證。
這是新凱來自成立以來，第一次向外界大規(guī)模進行產(chǎn)品與技術(shù)展示。新凱來稱其設(shè)備“100%自主可控”，包括機器控制系統(tǒng)、關(guān)鍵元件等，全都為自主研發(fā)或通過戰(zhàn)略合作伙伴取得。此次雖未官宣設(shè)備可支持制程節(jié)點，但有現(xiàn)場工作人員透露，包括未列入產(chǎn)品清單的蝕刻工具在內(nèi)，部分設(shè)備已可支持到5納米制程。去年3月，彭博社稱，華為與一家名為“新凱來”的半導體設(shè)備廠商，為一種技術(shù)復雜度低，但能有效制造先進芯片的方法，申請了專利。這種方案在沒有極紫外光的支持下，通過多重曝光，嘗試生產(chǎn)5nm芯片。資料顯示，新凱來工業(yè)機器成立于2022年，母公司新凱來技術(shù)有限公司成立于2021年，由深圳市重大產(chǎn)業(yè)投資集團全資控股，而后者隸屬深圳國資委。深圳市重大產(chǎn)業(yè)投資集團也是鵬芯微以及昇維旭等的主要支持者。近日，新凱來宣布已完成13類關(guān)鍵量檢測產(chǎn)品開發(fā)，并在國內(nèi)邏輯、存儲和化合物的主要半導體制造企業(yè)開始量產(chǎn)應(yīng)用。新凱來量檢測裝備產(chǎn)品線總裁酈舟劍在接受媒體采訪時表示，“當前首要解決先進制程問題，國外工藝節(jié)點已經(jīng)走的更領(lǐng)先，我們也會朝這個方向持續(xù)地努力，這需要時間，但我們有信心。”ezE28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com
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