近日，北方華創(chuàng)正式推出其首款12英寸電鍍設(shè)備（ECP）——Ausip T830。據(jù)北方華創(chuàng)官方微信公眾號消息，這款設(shè)備專為硅通孔（TSV）銅填充設(shè)計，主要應(yīng)用于2.5D/3D先進封裝領(lǐng)域。該產(chǎn)品的發(fā)布標(biāo)志著北方華創(chuàng)正式進入電鍍設(shè)備市場，并在先進封裝領(lǐng)域形成了包括刻蝕、去膠、PVD、CVD、電鍍、PIQ和清洗設(shè)備在內(nèi)的完整互連解決方案。
電鍍工藝作為物理氣相沉積（PVD）的后道工序，與PVD設(shè)備協(xié)同工作，廣泛應(yīng)用于邏輯、存儲、功率器件以及先進封裝等芯片制造環(huán)節(jié)。在工藝流程中，PVD設(shè)備先在槽/孔內(nèi)形成籽晶層，隨后電鍍設(shè)備完成槽/孔的無空隙填充。隨著先進封裝和三維集成技術(shù)的快速發(fā)展，電鍍設(shè)備的全球市場規(guī)模已達到每年80-90億元人民幣，并預(yù)計未來幾年將突破百億。

Ausip T830設(shè)備突破了三十多項關(guān)鍵技術(shù)，展現(xiàn)了北方華創(chuàng)的技術(shù)實力。該設(shè)備采用高真空密封和電化學(xué)沉積技術(shù)，通過實時優(yōu)化預(yù)潤濕及電鍍參數(shù)，實現(xiàn)了高深寬比TSV的精準(zhǔn)填充。同時，設(shè)備優(yōu)化了電場、流場和藥液濃度，確保TSV內(nèi)部及邊緣銅沉積均勻，減少缺陷，提高芯片良率和可靠性。雙層雙腔架構(gòu)支持同時處理兩片晶圓，提升了產(chǎn)能并節(jié)省了空間。定制氣缸和密封結(jié)構(gòu)增強了設(shè)備穩(wěn)定性，降低了維護成本。智能補液系統(tǒng)減少了添加劑使用量，助力綠色制造。此外，設(shè)備支持模塊化定制和后續(xù)技術(shù)升級，能夠滿足多樣化需求。目前，其電鍍膜厚均勻性已達到客戶要求，可有效填充孔直徑2-12微米、孔深16-120微米的多種孔型產(chǎn)品。

北方華創(chuàng)表示，未來將抓住先進封裝技術(shù)發(fā)展的機遇，持續(xù)加大研發(fā)投入，致力于提供先進封裝領(lǐng)域的完整解決方案。同時，公司將繼續(xù)深化與客戶的合作，共同推動先進封裝技術(shù)的進步，助力芯片產(chǎn)業(yè)邁向新高度。

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