近日，國家知識產(chǎn)權(quán)局發(fā)布信息顯示，至訊創(chuàng)新科技（無錫）有限公司獲得了一項名為“半導(dǎo)體設(shè)計PVT差異消除電路、方法及集成電路”的專利，授權(quán)公告號為CN 119171887 B，申請日期為2024年11月。據(jù)公開資料顯示，該公司成立于2021年，總部位于無錫，是一家專注于存儲芯片技術(shù)創(chuàng)新的高科技企業(yè)。
至訊創(chuàng)新科技的核心團隊由長江存儲前CTO湯強博士領(lǐng)銜，匯聚了來自全球知名半導(dǎo)體企業(yè)的頂尖人才。公司致力于開發(fā)高性能存儲芯片，廣泛應(yīng)用于消費電子、物聯(lián)網(wǎng)、監(jiān)控、工業(yè)控制及汽車電子等領(lǐng)域。目前，至訊創(chuàng)新已成功量產(chǎn)19nm工業(yè)級2D NAND閃存芯片，并完成多輪融資，為邊緣端AI存儲技術(shù)的研發(fā)提供了強勁動力。
據(jù)公開資料透露，該專利技術(shù)的突破將進一步提升存儲芯片的性能和穩(wěn)定性，為公司在高端存儲市場中占據(jù)一席之地提供技術(shù)支持。未來，至訊創(chuàng)新科技將繼續(xù)深耕存儲領(lǐng)域，推動技術(shù)革新與產(chǎn)業(yè)升級。

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