近日，國家知識產權局發布信息顯示，至訊創新科技（無錫）有限公司獲得了一項名為“半導體設計PVT差異消除電路、方法及集成電路”的專利，授權公告號為CN 119171887 B，申請日期為2024年11月。據公開資料顯示，該公司成立于2021年，總部位于無錫，是一家專注于存儲芯片技術創新的高科技企業。
至訊創新科技的核心團隊由長江存儲前CTO湯強博士領銜，匯聚了來自全球知名半導體企業的頂尖人才。公司致力于開發高性能存儲芯片，廣泛應用于消費電子、物聯網、監控、工業控制及汽車電子等領域。目前，至訊創新已成功量產19nm工業級2D NAND閃存芯片，并完成多輪融資，為邊緣端AI存儲技術的研發提供了強勁動力。
據公開資料透露，該專利技術的突破將進一步提升存儲芯片的性能和穩定性，為公司在高端存儲市場中占據一席之地提供技術支持。未來，至訊創新科技將繼續深耕存儲領域，推動技術革新與產業升級。

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