從 Pulsar Client 的原理到它的監(jiān)控面板
背景前段時間業(yè)務(wù)團(tuán)隊偶爾會碰到一些 Pulsar 使用的問題，比如消息阻塞不消費(fèi)了、生產(chǎn)者消息發(fā)送緩慢等各種問題。雖然我們有個監(jiān)控頁面可以根據(jù) topic 維度查看他的發(fā)送狀態(tài)，
2月下旬，美光科技宣布成為業(yè)內(nèi)率先向合作伙伴提供基于EUV光刻技術(shù)的1γ制程第六代（10nm級）DDR5內(nèi)存樣品的企業(yè)。不過，當(dāng)時美光并未透露該制程使用EUV光刻的層數(shù)。
據(jù)《朝鮮日報》報道，美光此次送樣的1γ DDR5內(nèi)存芯片僅采用了一層EUV光刻。美光這樣做的目的是通過減少EUV的使用，加快先進(jìn)制程DRAM的量產(chǎn)速度，同時降低生產(chǎn)成本。
美光選擇減少對EUV的依賴，關(guān)鍵層更多地基于成熟的氬氟浸沒式光刻（ArFi）制程。雖然ASML的下代深紫外光刻（DUV）系統(tǒng)（193nm波長氬氟激光）可實現(xiàn)38nm特征尺寸圖案化，精確度比不上13.5nm波長的EUV，但勝在成本更低。
美光認(rèn)為，EUV技術(shù)目前還未完全成熟，僅在必要時使用。從短期看，減少EUV使用能提升生產(chǎn)速度，但從長期來看，過多使用可能會影響芯片的良率和性能。
與美光不同，韓國的三星和SK海力士在DRAM生產(chǎn)上更依賴EUV制程。三星自2020年起就用EUV制程生產(chǎn)DRAM，其第六代1C 10nm級DRAM使用了超過五個EUV光刻層；SK海力士在2021年導(dǎo)入EUV制程，下一代1C 10nm級DRAM也采用類似策略。
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