2月下旬,美光科技宣布成為業內率先向合作伙伴提供基于EUV光刻技術的1γ制程第六代(10nm級)DDR5內存樣品的企業。不過,當時美光并未透露該制程使用EUV光刻的層數。
據《朝鮮日報》報道,美光此次送樣的1γ DDR5內存芯片僅采用了一層EUV光刻。美光這樣做的目的是通過減少EUV的使用,加快先進制程DRAM的量產速度,同時降低生產成本。
美光選擇減少對EUV的依賴,關鍵層更多地基于成熟的氬氟浸沒式光刻(ArFi)制程。雖然ASML的下代深紫外光刻(DUV)系統(193nm波長氬氟激光)可實現38nm特征尺寸圖案化,精確度比不上13.5nm波長的EUV,但勝在成本更低。
美光認為,EUV技術目前還未完全成熟,僅在必要時使用。從短期看,減少EUV使用能提升生產速度,但從長期來看,過多使用可能會影響芯片的良率和性能。
與美光不同,韓國的三星和SK海力士在DRAM生產上更依賴EUV制程。三星自2020年起就用EUV制程生產DRAM,其第六代1C 10nm級DRAM使用了超過五個EUV光刻層;SK海力士在2021年導入EUV制程,下一代1C 10nm級DRAM也采用類似策略。
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