智能終端時代來臨,存儲器業(yè)界開始關注移動HBM技術。三星電子與SK海力士在此領域策略上出現(xiàn)分歧。據(jù)傳,三星側(cè)重于效能與穩(wěn)定,而SK海力士更專注于成本效益。
三星正開發(fā)針對AI智能手機、PC等的次時代DRAM,旨在最大化運算效能。其采用VCS技術,通過堆疊LPDDR DRAM,增加I/O端子,打造低延遲寬IO的DRAM產(chǎn)品。然而,該技術生產(chǎn)時間與成本較高。
SK海力士則選擇VFO技術,以銅線取代銅柱,避免繁瑣的鉆孔與電鍍,更具成本效益。但較細銅線在填充環(huán)氧樹脂過程中可能發(fā)生位移或脫落。
業(yè)界人士表示,三星優(yōu)先考慮產(chǎn)品完成度,SK海力士考慮成本效率。由于客戶需求不同,尚難斷言誰的技術更適合市場。
兩大公司計劃在2025年完成技術開發(fā),2026年量產(chǎn)移動HBM。隨著市場需求變化,其技術戰(zhàn)略可能對移動HBM市場產(chǎn)生深遠影響,可能改變市場版圖。
本文鏈接:http://www.www897cc.com/showinfo-27-132176-0.html移動HBM技術,三星與SK海力士策略各異
聲明:本網(wǎng)頁內(nèi)容旨在傳播知識,若有侵權等問題請及時與本網(wǎng)聯(lián)系,我們將在第一時間刪除處理。郵件:2376512515@qq.com