聯(lián)發(fā)科今日正式對外宣布,其基于臺積電2納米先進制程技術(shù)的旗艦級系統(tǒng)級芯片(SoC)已順利完成設(shè)計驗證流程,即業(yè)界俗稱的“流片”(Tape out)。這一技術(shù)突破標(biāo)志著聯(lián)發(fā)科成為全球首批掌握2納米芯片設(shè)計能力的企業(yè)之一,相關(guān)產(chǎn)品預(yù)計將于2026年第四季度啟動量產(chǎn)并推向市場。
盡管官方聲明中未明確產(chǎn)品型號,但根據(jù)聯(lián)發(fā)科近期產(chǎn)品路線圖推測,這款采用2納米制程的芯片極有可能歸屬于天璣9系列高端產(chǎn)品線,或被命名為天璣9600。該系列此前憑借5納米制程的天璣9300芯片在移動端市場取得顯著成績,此次制程升級有望進一步鞏固其技術(shù)領(lǐng)先地位。
臺積電此次推出的2納米制程技術(shù),核心創(chuàng)新在于采用納米片(Nanosheet)晶體管結(jié)構(gòu)。這種新型架構(gòu)通過垂直堆疊設(shè)計,實現(xiàn)了對電流通道更精準(zhǔn)的控制,從而在性能、功耗和芯片良率三個關(guān)鍵維度取得突破性進展。相較于當(dāng)前主流的3納米增強版(N3E)制程,2納米制程的邏輯密度提升達1.2倍,意味著在相同芯片面積下可集成更多晶體管。
性能表現(xiàn)方面,聯(lián)發(fā)科披露的數(shù)據(jù)顯示,基于2納米制程的芯片在保持相同功耗時,運算效率可提升18%;若維持相同運算速度,功耗則可降低約36%。這種能效比的顯著優(yōu)化,將為智能手機、平板電腦等移動設(shè)備帶來更持久的續(xù)航表現(xiàn)和更強勁的性能輸出。
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