聯(lián)發(fā)科今日正式對(duì)外宣布，其基于臺(tái)積電2納米先進(jìn)制程技術(shù)的旗艦級(jí)系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）已順利完成設(shè)計(jì)驗(yàn)證流程，即業(yè)界俗稱的“流片”（Tape out）。這一技術(shù)突破標(biāo)志著聯(lián)發(fā)科成為全球首批掌握2納米芯片設(shè)計(jì)能力的企業(yè)之一，相關(guān)產(chǎn)品預(yù)計(jì)將于2026年第四季度啟動(dòng)量產(chǎn)并推向市場(chǎng)。xyq28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

盡管官方聲明中未明確產(chǎn)品型號(hào)，但根據(jù)聯(lián)發(fā)科近期產(chǎn)品路線圖推測(cè)，這款采用2納米制程的芯片極有可能歸屬于天璣9系列高端產(chǎn)品線，或被命名為天璣9600。該系列此前憑借5納米制程的天璣9300芯片在移動(dòng)端市場(chǎng)取得顯著成績(jī)，此次制程升級(jí)有望進(jìn)一步鞏固其技術(shù)領(lǐng)先地位。xyq28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

臺(tái)積電此次推出的2納米制程技術(shù)，核心創(chuàng)新在于采用納米片（Nanosheet）晶體管結(jié)構(gòu)。這種新型架構(gòu)通過垂直堆疊設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了對(duì)電流通道更精準(zhǔn)的控制，從而在性能、功耗和芯片良率三個(gè)關(guān)鍵維度取得突破性進(jìn)展。相較于當(dāng)前主流的3納米增強(qiáng)版（N3E）制程，2納米制程的邏輯密度提升達(dá)1.2倍，意味著在相同芯片面積下可集成更多晶體管。xyq28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

性能表現(xiàn)方面，聯(lián)發(fā)科披露的數(shù)據(jù)顯示，基于2納米制程的芯片在保持相同功耗時(shí)，運(yùn)算效率可提升18%；若維持相同運(yùn)算速度，功耗則可降低約36%。這種能效比的顯著優(yōu)化，將為智能手機(jī)、平板電腦等移動(dòng)設(shè)備帶來更持久的續(xù)航表現(xiàn)和更強(qiáng)勁的性能輸出。xyq28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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