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三星謀劃3D堆疊內存:10nm以下一路奔向2032年

來源: 責編: 時間:2024-04-04 16:51:17 198觀看
導讀 4月4日消息,3D晶體管正在各種類型芯片中鋪開,3D DRAM內存也討論了很多年,但一直沒有落地。如今三星公開的路線圖上,終于出現了3D DRAM。三星的DRAM芯片制造工藝目前處于1b,后續還有1c、1d,都是10nm級

4月4日消息,3D晶體管正在各種類型芯片中鋪開,3D DRAM內存也討論了很多年,但一直沒有落地。如今三星公開的路線圖上,終于出現了3D DRAM。Mbs28資訊網——每日最新資訊28at.com

三星的DRAM芯片制造工藝目前處于1b,后續還有1c、1d,都是10nm級別。Mbs28資訊網——每日最新資訊28at.com

再往后的10nm以下節點,將分別命名為0a、0b、0c、0d,其中打頭的0a工藝預計2027年底-2028年初量產(月產能超過2萬塊晶圓),0d則要到2032年。Mbs28資訊網——每日最新資訊28at.com

就在進入10nm之后,三星將全面開啟3D內存時代,首先引入VCT(垂直通道晶體管),看起來應該是基礎的FinFET類型,而非更先進的GAA。Mbs28資訊網——每日最新資訊28at.com

大約2030-2031年的時候,三星將升級到堆疊DRAM,將多組VCT堆在一起,從而獲得更大容量、更高性能,看起來還會引入電容器作為輔助。Mbs28資訊網——每日最新資訊28at.com

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