日韩成人免费在线_国产成人一二_精品国产免费人成电影在线观..._日本一区二区三区久久久久久久久不

當前位置:首頁 > 科技  > 測評

三星謀劃3D堆疊內存:10nm以下一路奔向2032年

來源: 責編: 時間:2024-04-04 16:51:17 199觀看
導讀 4月4日消息,3D晶體管正在各種類型芯片中鋪開,3D DRAM內存也討論了很多年,但一直沒有落地。如今三星公開的路線圖上,終于出現了3D DRAM。三星的DRAM芯片制造工藝目前處于1b,后續還有1c、1d,都是10nm級

4月4日消息,3D晶體管正在各種類型芯片中鋪開,3D DRAM內存也討論了很多年,但一直沒有落地。如今三星公開的路線圖上,終于出現了3D DRAM。mN028資訊網——每日最新資訊28at.com

三星的DRAM芯片制造工藝目前處于1b,后續還有1c、1d,都是10nm級別。mN028資訊網——每日最新資訊28at.com

再往后的10nm以下節點,將分別命名為0a、0b、0c、0d,其中打頭的0a工藝預計2027年底-2028年初量產(月產能超過2萬塊晶圓),0d則要到2032年。mN028資訊網——每日最新資訊28at.com

就在進入10nm之后,三星將全面開啟3D內存時代,首先引入VCT(垂直通道晶體管),看起來應該是基礎的FinFET類型,而非更先進的GAA。mN028資訊網——每日最新資訊28at.com

大約2030-2031年的時候,三星將升級到堆疊DRAM,將多組VCT堆在一起,從而獲得更大容量、更高性能,看起來還會引入電容器作為輔助。mN028資訊網——每日最新資訊28at.com

三星謀劃3D堆疊內存:10nm以下一路奔向2032年mN028資訊網——每日最新資訊28at.com

三星謀劃3D堆疊內存:10nm以下一路奔向2032年mN028資訊網——每日最新資訊28at.com

本文鏈接:http://www.www897cc.com/showinfo-25-81291-0.html三星謀劃3D堆疊內存:10nm以下一路奔向2032年

聲明:本網頁內容旨在傳播知識,若有侵權等問題請及時與本網聯系,我們將在第一時間刪除處理。郵件:2376512515@qq.com

上一篇: 全球首發6000尼特屏幕!真我GT Neo6 SE上架

下一篇: 王婆火了趙梅累了:希望把機會留給真心想交朋友的人

標簽:
  • 熱門焦點
Top 主站蜘蛛池模板: 昔阳县| 滦南县| 天全县| 珲春市| 西城区| 宜宾市| 马关县| 运城市| 贡嘎县| 中西区| 石狮市| 重庆市| 同江市| 翁源县| 九江市| 思南县| 葫芦岛市| 密山市| 玉屏| 延寿县| 古丈县| 南昌市| 裕民县| 舒城县| 碌曲县| 南雄市| 类乌齐县| 油尖旺区| 荣昌县| 公安县| 陇川县| 来凤县| 聂荣县| 延吉市| 渭源县| 永清县| 凤台县| 灌云县| 驻马店市| 禹城市| 延川县|