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ATP 推出 N651Si 系列 E1.S 接口 PCIe 4.0×4 工業(yè)寬溫固態(tài)硬盤

來(lái)源：責(zé)編：時(shí)間：2024-07-09 06:59:36 169觀看

導(dǎo)讀 7 月 8 日消息，臺(tái)灣地區(qū)工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)企業(yè) ATP 今日推出了 N651Si 系列工業(yè)寬溫固態(tài)硬盤。該固態(tài)硬盤專為 1U 邊緣服務(wù)器設(shè)計(jì)，采用新興的EDSFF E1.S 接口，厚度為 9.5mm，支持 -40℃~+85℃ 工作溫度范圍。ATP 的 N651S

7 月 8 日消息，臺(tái)灣地區(qū)工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)企業(yè) ATP 今日推出了 N651Si 系列工業(yè)寬溫固態(tài)硬盤。

該固態(tài)硬盤專為 1U 邊緣服務(wù)器設(shè)計(jì)，采用新興的EDSFF E1.S 接口，厚度為 9.5mm，支持 -40℃~+85℃ 工作溫度范圍。

ATP 的 N651Si 系列固態(tài)硬盤支持 PCIe 4.0×4 接口和 NVMe 1.4 協(xié)議，搭載 512Gb 顆粒容量的 176 層 3D TLC NAND 芯片。

速度方面，N651Si 固態(tài)硬盤順序讀寫可達(dá) 6100/6000 MB/s，隨機(jī)讀寫可達(dá) 870K / 1200K IOPS。

ATPN651Si 固態(tài)硬盤容量為 960GB~7.68TB，擁有 5 年內(nèi) 1 DWPD（注：每日全盤寫入次數(shù)）的耐久，即使擦寫周期已達(dá)到 100% P / E，也能在 55℃下保存一年數(shù)據(jù)。

此外該固態(tài)硬盤搭載硬件 + 固件斷電保護(hù)方案，使用時(shí)突發(fā)斷電不會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失或損壞。

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