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Intel 3工藝官方深入揭秘:號稱性能飆升18%!

來源: 責編: 時間:2024-06-21 08:34:52 166觀看
導(dǎo)讀 快科技6月20日消息,Intel官方宣布,Intel 3工藝(相當于3nm級別)已經(jīng)投入大規(guī)模量產(chǎn),用于至強6 Sierra Forest能效核版本、Granite Ridge性能核版本,下半年陸續(xù)登場,但不會用于酷睿。Intel 3作為現(xiàn)有Intel 4的升級

快科技6月20日消息,Intel官方宣布,Intel 3工藝(相當于3nm級別)已經(jīng)投入大規(guī)模量產(chǎn),用于至強6 Sierra Forest能效核版本、Granite Ridge性能核版本,下半年陸續(xù)登場,但不會用于酷睿。arh28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

Intel 3作為現(xiàn)有Intel 4的升級版,帶來了更高的晶體管密度和性能,并支持1.2V電壓的超高性能應(yīng)用,不但用于自家產(chǎn)品,還首次開放對外代工,未來多年會持續(xù)迭代。arh28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

首先強調(diào),Intel 3工藝的定位一直就是需要高性能的數(shù)據(jù)中心市場,重點升級包括改進設(shè)計的晶體管、晶體管通孔電阻更低的供電電路、與客戶的聯(lián)合優(yōu)化等等,還支持0.6V以下的低電壓、1.3V以上的高電壓,以實現(xiàn)大負載。arh28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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為了獲得性能、密度的佳均衡,Intel還同時使用了240nm高性能庫、210nm高密度庫的組合——Intel 4只有前者。arh28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

客戶如果有不同需求,還可以在三種不同的金屬堆棧層數(shù)中選擇:14層的成本低,18層的性能和成本均衡,21層的性能高。arh28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

此外,Intel 3工藝的EUV極紫外光刻運用更加嫻熟,在更多生產(chǎn)工序中使用了EUV。arh28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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終的結(jié)果是,Intel保證新工藝可以在同等功耗、晶體管密度之下,相比Intel 4帶來多18%的提升!arh28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

Intel之前還曾表示,Intel 3相比于Intel 4邏輯縮微縮小了約10%(可以理解為晶體管尺寸),每瓦性能(也就是能效)則提升了17%。arh28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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不過在關(guān)鍵尺寸方面,Intel 3、Intel 4是基本一致的,接觸孔多晶硅柵極間距(CPP)都是50nm,鰭片間距、M0間距都是30nm,另外庫高度 x CPP的面積除了12K,還增加了10.5K版本,也是為了優(yōu)化性能和成本平衡。arh28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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Intel 3后續(xù)還會優(yōu)化推出不同的版本,針對性加強某個角度:arh28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

Intel 3-T:重點引入采用硅通孔(TSV)技術(shù),針對3D堆疊進行優(yōu)化。arh28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

Intel 3-E:擴展更多功能,比如1.2V原生電壓、深N阱、長通道模擬設(shè)備、射頻等,可用于生產(chǎn)芯片組、存儲芯片等。arh28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

Intel 3-PT:在3-E的基礎(chǔ)上,增加9微米間距的硅通孔,以及混合鍵合,性能再提升至少5%,使用也更簡單,可用于AI、HPC芯片以及通用計算芯片。arh28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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