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曝三星HBM3芯片未通過英偉達測試:發熱嚴重

來源: 責編: 時間:2024-05-24 17:19:23 207觀看
導讀 快科技5月24日消息,據媒體報道,由于發熱嚴重,三星電子新研發的高帶寬內存HBM芯片在英偉達的測試中未能達標,因此無法被用于英偉達的AI處理器。據了解,受影響的產品涉及三星的HBM3芯片,這是目前人工智能圖形處理單

快科技5月24日消息,據媒體報道,由于發熱嚴重,三星電子新研發的高帶寬內存HBM芯片在英偉達的測試中未能達標,因此無法被用于英偉達的AI處理器。QVz28資訊網——每日最新資訊28at.com

據了解,受影響的產品涉及三星的HBM3芯片,這是目前人工智能圖形處理單元中常用的第四代HBM標準。QVz28資訊網——每日最新資訊28at.com

資料顯示,HBM3具有更高的帶寬和更低的延遲,由于HBM3芯片堆疊在一起,通過短距離、高密度的互連通道進行數據傳輸,帶寬可以達到數百GB/s的級別。QVz28資訊網——每日最新資訊28at.com

HBM3為加快內存和處理器之間的數據移動打開了大門,降低了發送和接收信號所需的功率,并提高了需要高數據吞吐量的系統性能。QVz28資訊網——每日最新資訊28at.com

不過,實現這一切都不容易,制造這項技術和充分利用它都將面臨重大挑戰,大挑戰就是發熱控制,HBM結構會積聚許多熱量,而DRAM與GPU封裝在一起會加劇這種情況的發生,這就對散熱冷卻提出了更多的挑戰,迫使制造者需要在時延與散熱之間做出抉擇,很顯然,無論哪一種選擇,都將從另一角度上推高總成本。QVz28資訊網——每日最新資訊28at.com

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