快科技4月16日消息,三星計(jì)劃在本月晚些時(shí)候開始量產(chǎn)第九代V-NAND閃存,可用的堆疊層數(shù)達(dá)290層,相比現(xiàn)在的236層只增加不到23%。
這一代新閃存將采用新的堆疊架構(gòu),底部是CMOS層加邏輯電路,上邊是145層閃存陣列,再上邊又是145層閃存陣列。
這種方法雖然更復(fù)雜,但是良品率可以得到很好的保障,而且可以輕松進(jìn)一步拓展。
按照三星的規(guī)劃,2025年下半年將量產(chǎn)第十代V-NAND,進(jìn)一步堆疊到430層。
更遙遠(yuǎn)的未來,三星可能會(huì)在2030年左右做到1000層。
中國長(zhǎng)江存儲(chǔ)可能會(huì)在今年下半年量產(chǎn)300層,SK海力士計(jì)劃明年初量產(chǎn)321層,鎧俠號(hào)稱2031年量產(chǎn)1000多層!
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