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三星明年量產(chǎn)430層閃存!但有人瞄準(zhǔn)了1000+層

來源: 責(zé)編: 時(shí)間:2024-04-16 08:28:04 211觀看
導(dǎo)讀 快科技4月16日消息,三星計(jì)劃在本月晚些時(shí)候開始量產(chǎn)第九代V-NAND閃存,可用的堆疊層數(shù)達(dá)290層,相比現(xiàn)在的236層只增加不到23%。這一代新閃存將采用新的堆疊架構(gòu),底部是CMOS層加邏輯電路,上邊是145層閃存陣列,再上邊

快科技4月16日消息,三星計(jì)劃在本月晚些時(shí)候開始量產(chǎn)第九代V-NAND閃存,可用的堆疊層數(shù)達(dá)290層,相比現(xiàn)在的236層只增加不到23%。KbA28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

這一代新閃存將采用新的堆疊架構(gòu),底部是CMOS層加邏輯電路,上邊是145層閃存陣列,再上邊又是145層閃存陣列。KbA28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

這種方法雖然更復(fù)雜,但是良品率可以得到很好的保障,而且可以輕松進(jìn)一步拓展。KbA28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

按照三星的規(guī)劃,2025年下半年將量產(chǎn)第十代V-NAND,進(jìn)一步堆疊到430層。KbA28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

更遙遠(yuǎn)的未來,三星可能會(huì)在2030年左右做到1000層。KbA28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

中國長(zhǎng)江存儲(chǔ)可能會(huì)在今年下半年量產(chǎn)300層,SK海力士計(jì)劃明年初量產(chǎn)321層,鎧俠號(hào)稱2031年量產(chǎn)1000多層!KbA28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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