Redmi Pad評測：紅米充滿野心的一次嘗試
從Note系列到K系列，從藍牙耳機到筆記本電腦，紅米不知不覺之間也已經形成了自己頗有競爭力的產品體系，在中端和次旗艦市場上甚至要比小米新機的表現來得更好，正所謂“大丈夫生居
快科技8月11日消息，邏輯芯片在進入5nm節點之后全面使用了EUV工藝，存儲芯片使用DUV工藝為主，這四五年才剛開始嘗試EUV工藝，現在SK海力士公司更為激進，新一代DDR5將使用5層及以上EUV光刻。
大家都知道，相比于DUV光刻，EUV光刻的13.5nm波長更短，光刻精度更高，有助于提告密度，減少工藝復雜性，以往需要多次光刻的步驟在EUV上可能一次就夠了，這對DRAM內存芯片來說也是適用的。
三星早在2020年就率先宣布在內存芯片中使用EUV光刻，美光隨后也跟上了，SK海力士晚了一年在2021年才宣布在第四代10nm級工藝上使用EUV光刻，不過之前DRAM芯片往往只使用了1層EUV光刻。
現在SK海力士要加碼EUV，第六代10nm級DDR5芯片（1c DRAM）將全面改進光刻工藝，EUV光刻層數將提升到5層以上，并且在未來的1d、0a級別內存上全面使用EUV光刻。
不過首發的產品規格并不高，DDR5內存的顆粒還是16Gb的，并沒有太過追求容量提升，還是主流水平。
除了DDR5內存芯片，HBM家族的芯片未來也會大量使用EUV光刻工藝，SK海力士希望用技術優勢讓對手追無可追，希望甩開三星的意圖很明顯。
不僅如此，SK海力士還在下一代的EUV光刻機——High NA EUV上押注頗多，后者的NA數值孔徑從當前EUV的0.33提升到0.55，精度更高，不過光刻機的價格也貴了很多，從1.5-2億美元暴漲到4億美元甚至更高。
SK海力士計劃從2026年開始使用High NA EUV光刻機生產內存芯片。
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