石頭智能洗地機(jī)A10 Plus體驗(yàn)：雙向自清潔治好了我的懶癌
一、前言和介紹專(zhuān)為家庭請(qǐng)假懶人而生的石頭科技在近日又帶來(lái)了自己的全新旗艦新品，石頭智能洗地機(jī)A10 Plus。從這個(gè)產(chǎn)品名上就不難看出，這次石頭推出的并不是常見(jiàn)的掃地機(jī)器
快科技2月27日消息，見(jiàn)證歷史的時(shí)刻！全球第一的存儲(chǔ)巨頭三星，居然購(gòu)買(mǎi)中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)的專(zhuān)利技術(shù)，來(lái)打造未來(lái)產(chǎn)品，而在拿到授權(quán)的第一時(shí)間，三星就宣布了基于相關(guān)技術(shù)的成果：400多層堆疊的第十代V-NAND閃存。
和眾多傳統(tǒng)閃存廠商一樣，三星也是一直將CMOS控制電路放在存儲(chǔ)陣列之下，在同一塊晶圓上制造，而隨著堆疊層數(shù)、存儲(chǔ)密度的急劇增加，這種架構(gòu)越來(lái)越難以推進(jìn)。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)的Xtacking晶棧架構(gòu)則是在兩塊晶圓上分別制造控制電路、存儲(chǔ)陣列，然后鍵合在一起，制造難度和成本大大降低，也有利于持續(xù)升級(jí)。
三星的第十代V-NAND，就將引入這種設(shè)計(jì)。
鎧俠/閃迪的閃存從第八代到日前剛發(fā)布的第十代，也是類(lèi)似架構(gòu)。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)晶棧架構(gòu)
鎧俠新架構(gòu)
三星第十代V-NAND將堆疊超過(guò)400層(具體數(shù)字未公開(kāi))，奪回世界第一，超過(guò)開(kāi)下剛剛創(chuàng)記錄的332層。
首發(fā)TLC，單Die容量1Tb(128GB)，存儲(chǔ)密度每平方毫米28Gb，略低于三星1Tb QLC顆粒的平方毫米28.5Gb，也遠(yuǎn)不如鎧俠第十代的大約每平方毫米36.4Gb，因?yàn)槊芏炔皇侨堑氖滓繕?biāo)，層數(shù)才是。
接口傳輸速度倒是領(lǐng)先，達(dá)到了5600MT/s，也就是700MB/s。
因此，只需10顆芯片就能吃滿PCIe 4.0 x4，20顆吃滿PCIe 5.0 x4，32顆就能吃滿PCIe 6.0 x4。
事實(shí)上，大多數(shù)NAND閃存芯片都是8顆或者16顆Die封裝而成，因此16顆就能做到單顆芯片2TB，M.2 SSD單面能做到8TB，雙面可達(dá)16TB。
當(dāng)然，因?yàn)榧嫒菪詥?wèn)題，雙面的并不多見(jiàn)。
按照三星的規(guī)劃，2030年左右將做到1000層堆疊！
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