K8S | Service服務(wù)發(fā)現(xiàn)
一、背景在微服務(wù)架構(gòu)中，這里以開發(fā)環(huán)境「Dev」為基礎(chǔ)來描述，在K8S集群中通常會開放：路由網(wǎng)關(guān)、注冊中心、配置中心等相關(guān)服務(wù)，可以被集群外部訪問；圖片對于測試「Tes」環(huán)境或者
快科技9月12日消息，三星電子官方宣布，已經(jīng)開始批量生產(chǎn)第九代QLC V-NAND閃存，單顆容量1Tb(128GB)。
就在今年4月，三星開始量產(chǎn)第九代TLC V-NAND閃存，二者只間隔4個月。
三星第九代QLC NAND閃存加入了多項創(chuàng)新：
一是通道孔蝕刻(Channel Hole Etching)。
基于雙堆棧架構(gòu)，實現(xiàn)了當(dāng)前業(yè)內(nèi)高的單元堆疊層數(shù)(具體未公開)。同時優(yōu)化存儲單元面積、外圍電路，位密度比上代提升約86％。
二是預(yù)設(shè)模具(Designed Mold)。
可以調(diào)整、控制存儲單元的字線(Word Line)間距，確保同一單元層內(nèi)、單元層之間的存儲單元的特性保持一致，達(dá)到佳效果，數(shù)據(jù)保持性能提升約20％，增強(qiáng)了可靠性。
三是預(yù)測程序(Predictive Program)。
能夠預(yù)測、控制存儲單元的狀態(tài)變化，盡可能減少不必要的操作，寫入性能翻倍，數(shù)據(jù)輸入/輸出速度提升60％。
四是低功耗設(shè)計(Low-Power Design)。
降低了驅(qū)動NAND存儲單元所需的電壓，只感測必要的位線(Bit Line)，數(shù)據(jù)讀取功耗約分別下降了約30％、50％。
三星第九代QLC V-NAND閃存將首先用于消費電子產(chǎn)品，然后逐步在UFS、PC、服務(wù)器領(lǐng)域鋪開。
本文鏈接：http://www.www897cc.com/showinfo-24-113731-0.html三星全球首發(fā)量產(chǎn)第九代QLC閃存：一顆1Tb、寫入提升100％
聲明：本網(wǎng)頁內(nèi)容旨在傳播知識，若有侵權(quán)等問題請及時與本網(wǎng)聯(lián)系，我們將在第一時間刪除處理。郵件：2376512515@qq.com
Copyright ? 2016-2023 天津谷騏科技有限公司 版權(quán)所有 sitemap.xml
違法及侵權(quán)請聯(lián)系：2376512515@qq.com 津ICP備18001702號
津公網(wǎng)安備 12010102000574號