跑分安卓第一！Redmi K60至尊版8月發(fā)布！盧偉冰：目標(biāo)年度性能之王
8月5日消息，Redmi K60至尊版將于8月發(fā)布，在此前舉行的戰(zhàn)略發(fā)布會(huì)上，官方該機(jī)將搭載搭載天璣9200+處理器，安兔兔V10跑分超177萬(wàn)分，是目前安卓陣營(yíng)最高的分?jǐn)?shù)
快科技6月29日消息，如今的SSD容量越做越大，企業(yè)級(jí)SSD容量已達(dá)30TB、60TB的、甚至120TB。但SSD壽命一直是“致命傷”，越大容量的盤(pán)，出現(xiàn)故障后，丟失的數(shù)據(jù)就越多。
近日， 華為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)發(fā)文，揭開(kāi)華為全閃分布式存儲(chǔ)讓SSD大盤(pán)更“長(zhǎng)壽”的秘訣。
首先，為什么SSD會(huì)有壽命問(wèn)題？
SSD閃存實(shí)際是由半導(dǎo)體元件、NAND Flash顆粒組成。通過(guò)對(duì)盤(pán)上顆粒不斷的擦和寫(xiě)，來(lái)完成對(duì)數(shù)據(jù)的增、刪、改、查。
這個(gè)過(guò)程中，顆粒捕獲電子的能力會(huì)逐漸減弱，當(dāng)減弱到一定程度后、也就是超過(guò)顆粒大擦寫(xiě)次數(shù)，便可能出現(xiàn)“電子逃逸”現(xiàn)象，也就是硬盤(pán)寫(xiě)穿、數(shù)據(jù)錯(cuò)誤、壽命耗盡。
盤(pán)上全部顆?？芍С值目偛翆?xiě)次數(shù) 和 使用期間用戶寫(xiě)入的數(shù)據(jù)量。只要后者小于前者，那么就能保證壽命無(wú)憂！
因此，下面這個(gè)公式就能一目了然：
所以，想延長(zhǎng)SSD壽命，就要減少“寫(xiě)放大”。
為了降低分母，就要減少罪魁禍?zhǔn)?mdash;—“寫(xiě)放大”。寫(xiě)放大的意思是，比如，在寫(xiě)入16KB的業(yè)務(wù)數(shù)據(jù)時(shí)，呈現(xiàn)到盤(pán)上卻變成寫(xiě)入64KB物理數(shù)據(jù)量，被放大了，消耗了數(shù)倍的擦寫(xiě)次數(shù)，加速顆粒老化。“寫(xiě)放大”的源頭來(lái)自于以下三點(diǎn)：
后臺(tái)垃圾回收
SSD是無(wú)法覆蓋寫(xiě)的，要想修改數(shù)據(jù)必須擦除顆粒、重新寫(xiě)入，Block就是擦除的小單元。當(dāng)少量數(shù)據(jù)修改時(shí)， SSD就會(huì)將原Block上的全部有效數(shù)據(jù)讀取后，寫(xiě)入新的Block位置，再擦除原Block。
這個(gè)過(guò)程，就像整理房間一樣，要先把老房間的東西全部搬出來(lái)，再放到新房間里重新布置。換句話說(shuō)，少量的數(shù)據(jù)更新，會(huì)引發(fā)更大面積顆粒的擦寫(xiě)。
小I/O補(bǔ)齊
SSD可讀寫(xiě)的小單元是Page（一般是512個(gè)byte）。在用戶層面寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)，當(dāng)用戶寫(xiě)入的I/O大小不足一個(gè)Page容量，為了能管理它，就需要額外尋找另一份數(shù)據(jù)，來(lái)和原數(shù)據(jù)拼湊成一整個(gè)Page的大小，再寫(xiě)入到顆粒中。“這個(gè)不夠、別的來(lái)湊”，這用來(lái)湊齊的無(wú)效數(shù)據(jù)，就會(huì)造成寫(xiě)放大。
元數(shù)據(jù)變化
在SSD上，元數(shù)據(jù)是描述數(shù)據(jù)的索引，一般緊密地存放在一些Block區(qū)域。當(dāng)用戶在頻繁修改數(shù)據(jù)時(shí)，對(duì)應(yīng)的每份元數(shù)據(jù)也必須跟著被修改、重定向，造成多次讀寫(xiě)、擦寫(xiě)，牽一發(fā)而動(dòng)全身。
華為OceanStor Pacific分布式存儲(chǔ)采用了一個(gè)創(chuàng)新的機(jī)制——小I/O聚合，將小I/O在寫(xiě)盤(pán)前聚合在保電內(nèi)存中，只有達(dá)到一定粒度后才會(huì)寫(xiě)入SSD，消除了小I/O補(bǔ)齊導(dǎo)致的寫(xiě)放大。
這對(duì)元數(shù)據(jù)變化也非常友好。聚合后的小I/O更容易被集中修改，極大減少元數(shù)據(jù)被頻繁擦寫(xiě)的概率。
同時(shí)，華為還采用了業(yè)界獨(dú)創(chuàng)的多流技術(shù)，即智能識(shí)別數(shù)據(jù)的冷熱程度并優(yōu)化數(shù)據(jù)布局，減少不必要的重復(fù)擦寫(xiě)和數(shù)據(jù)搬移。
除了分母，也要增大分子。華為是采用額外的編碼糾錯(cuò)技術(shù)，在達(dá)到顆粒的標(biāo)稱擦寫(xiě)次數(shù)后，對(duì)數(shù)據(jù)持續(xù)校驗(yàn)或修正，徹底避免數(shù)據(jù)錯(cuò)誤、業(yè)務(wù)出錯(cuò)，變相地增大了顆粒的總擦寫(xiě)次數(shù)。
華為開(kāi)發(fā)了一套更加強(qiáng)大的組合拳——LDPC（Low Density Parity Check）算法與SmartFSP 3.0算法，一方面對(duì)Flash介質(zhì)進(jìn)行監(jiān)測(cè)，尋找更精確的讀取電位，另一方面保證高性能的校驗(yàn)糾錯(cuò)性能，提供更加精準(zhǔn)的盤(pán)內(nèi)冗余糾錯(cuò)精度。
一個(gè)糾得正，一個(gè)查得準(zhǔn)，二者配合，華為就將SSD數(shù)據(jù)的誤碼率從10-17降低至10-18，整整降低一個(gè)數(shù)量級(jí)，延長(zhǎng)30~50%的SSD壽命。
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