快科技6月14日消息,高通公司首席執(zhí)行官Cristiano Amon近日在接受采訪時(shí)表示,公司正在認(rèn)真評(píng)估臺(tái)積電、三星雙源生產(chǎn)戰(zhàn)略。
據(jù)悉,高通驍龍8 Gen4將在今年10月登場(chǎng),這顆芯片完全交由臺(tái)積電代工,采用臺(tái)積電N3E節(jié)點(diǎn),這是臺(tái)積電第二代3nm制程。
因蘋果、聯(lián)發(fā)科等科技巨頭都采用臺(tái)積電3nm工藝,出于對(duì)臺(tái)積電產(chǎn)能有限的考慮,高通有意考慮雙代工廠策略。
此前有消息稱驍龍8 Gen4原本計(jì)劃采用雙代工模式,但是三星3nm產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃趨于保守,加上良品率并不穩(wěn)定,終高通選擇延后執(zhí)行該計(jì)劃。
不過(guò)高通并未放棄雙代工策略,報(bào)道稱高通要求臺(tái)積電和三星提供2nm芯片樣品,以便做進(jìn)一步的評(píng)估,高通希望通過(guò)雙代工策略降低SoC的生產(chǎn)成本,同時(shí)降低對(duì)臺(tái)積電的依賴度。
資料顯示,高通此前曾與三星合作過(guò)一段時(shí)間,當(dāng)時(shí)驍龍888、驍龍8 Gen1等芯片將由三星代工,由于三星5nm制程工藝并不是很成熟,導(dǎo)致高通驍龍888處理器的表現(xiàn)不及預(yù)期,促使高通改投臺(tái)積電的懷抱。
值得注意的是,三星計(jì)劃在2025年量產(chǎn)2nm工藝制程,三星2nm應(yīng)用了GAA FET架構(gòu),提供了比FinFET更好的靜電特性。
如果三星2nm表現(xiàn)穩(wěn)定且良率達(dá)標(biāo)的話,不排除高通驍龍8系平臺(tái)再次擁抱三星的可能。
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