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聯(lián)發(fā)科強(qiáng)5G Soc!臺(tái)積電3nm天璣芯片成功流片:2024年量產(chǎn)

來(lái)源: 責(zé)編: 時(shí)間:2023-09-07 10:54:42 283觀看
導(dǎo)讀 快科技9月7日消息,今日,聯(lián)發(fā)科官方宣布,聯(lián)發(fā)科首款采用臺(tái)積電3nm工藝的天璣旗艦芯片開(kāi)發(fā)順利,日前已成功流片,預(yù)計(jì)2024年下半年上市,將成為聯(lián)發(fā)科強(qiáng)5G Soc。據(jù)悉,臺(tái)積電3nm擁有更強(qiáng)性能、功耗、良率,相較5nm工藝,3nm

快科技9月7日消息,今日,聯(lián)發(fā)科官方宣布,聯(lián)發(fā)科首款采用臺(tái)積電3nm工藝的天璣旗艦芯片開(kāi)發(fā)順利,日前已成功流片,預(yù)計(jì)2024年下半年上市,將成為聯(lián)發(fā)科強(qiáng)5G Soc。wNm28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

據(jù)悉,臺(tái)積電3nm擁有更強(qiáng)性能、功耗、良率,相較5nm工藝,3nm工藝的邏輯密度增加約60%,在相同功耗下速度提升18%,或在相同速度下功耗降低32%。wNm28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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在今年7月的季度財(cái)務(wù)會(huì)議上,臺(tái)積電CEO魏哲家透露,去年底開(kāi)始量產(chǎn)的N3 3nm工藝,已完全通過(guò)驗(yàn)證,性能、良品率都達(dá)到了預(yù)期目標(biāo)。wNm28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

臺(tái)積電3nm工藝第一代為N3B,技術(shù)上很先進(jìn)很復(fù)雜,應(yīng)用多達(dá)25個(gè)EUV光刻層,還有雙重曝光,從而達(dá)到更高的晶體管密度,這也致使價(jià)格更貴。wNm28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

第二代則是N3E,EUV光刻層減少到19個(gè),去掉雙重曝光,會(huì)便宜不少,更適合主流產(chǎn)品。wNm28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

值得一提的是,iPhone 15系列下周就要發(fā)布了,其中iPhone 15 Pro/Pro Max機(jī)型將升級(jí)蘋(píng)果A17處理器,將首發(fā)臺(tái)積電3nm工藝,芯片表現(xiàn)如何,值得期待。wNm28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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