石頭智能洗地機A10 Plus體驗：雙向自清潔治好了我的懶癌
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ictimes消息，根據韓媒 ZDNET Korea 報導，三星電子近期在內存生產方面遭遇重大挑戰。特別是針對即將推出的 Galaxy S25 系列，三星電子的 1b nm（即 12nm 級）LPDDR 內存樣品供應出現了嚴重延誤。這一問題主要源于三星在該技術領域的良率未達預期，導致樣品供應無法如計劃進行。
三星電子自2023年5月起便啟動了1b nm工藝的16Gb DDR5內存生產，并在9月推出了32Gb DDR5產品。盡管公司一直在積極推進1b nm LPDDR移動內存的開發，但最新消息顯示，今年6月三星的1b nm DRAM內存產品良率不足50%。這種狀況不僅影響了產品的質量，還導致了供貨時間表的混亂。
據悉，三星DS部門原計劃在8月前向MX部門提供12Gb和16Gb容量的1b nm LPDDR內存樣品，以支持Galaxy S25系列的開發。然而，由于良率問題，供應的樣品數量遠低于需求。MX部門已經對此提出抗議，并正在重新評估手機的DRAM供應計劃。
在DRAM行業中，實現穩定且經濟的大規模生產，內存良率通常需要達到80%以上。顯然，三星當前的良率遠未達到這一標準。這一挑戰不僅考驗了三星的生產能力，也可能對Galaxy S25系列的發布進度產生影響。
盡管面臨這些挑戰，三星電子在技術上的不斷探索和創新仍然值得肯定。公司在突破性的內存技術開發上付出了巨大的努力，未來一旦解決生產問題，三星有望在市場上繼續保持競爭優勢。
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