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拆解華為手機:芯片制造僅落后臺積電3年

來源: 責編: 時間:2024-08-28 16:38:07 161觀看
導讀 class="art_content" 日本專業拆解公司TechanaLye社長清水洋治表示,中國半導體實力進步,已逼近到僅落后臺積電3年的水平。清水洋治以華為最新手機Pura 70 Pro搭載的處理器(AP)麒麟9010,與華為2021年上市的高性能智能手機
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日本專業拆解公司TechanaLye社長清水洋治表示,中國半導體實力進步,已逼近到僅落后臺積電3年的水平。

清水洋治以華為最新手機Pura 70 Pro搭載的處理器(AP)麒麟9010,與華為2021年上市的高性能智能手機搭載發AP麒麟9000為例,兩者相較之下,面積與處理性能差別不大。

臺積電以5納米量產的“KIRIN 9000”(2021年) ?和中芯國際以7納米生產的“KIRIN 9010”(2024年)的處理器性能差距不大。(圖由TechanaLye提供)

據悉,麒麟9010、麒麟9000均由華為旗下海思半導體設計,前者采用中國國產工藝量產,后者采用臺積電5納米制程技術。

清水洋治指出,中國工藝量產的芯片面積為118.4平方毫米,和臺積電5納米芯片面積(107.8平方公毫米)差距不大,處理性能也基本相同。 兩者差距最大的部分,應該是在于生產良率。

此外,華為Pura 70 Pro手機中的半導體元件國產化率達到了驚人的86%。除了存儲芯片和少數傳感器外,該手機搭載的37個半導體元件中,有14個由海思半導體自主研發,另有18個來自其他中國企業。而來自中國以外的芯片僅有5個,包括韓國SK海力士的DRAM和德國博世的運動傳感器等。



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