SiC是一種硬度與金剛石相近的半導體材料，由于其卓越的物理化學性能，如高耐壓、高頻率、高效率等，使得SiC在半導體制造領域具有巨大的應用潛力。然而，由于SiC的制備難度大，生產成本高，其廣泛應用一直受到限制。

近期，國內廠在主流6寸SiC長晶取得重大突破，包括功率元件龍頭英飛凌（Infineon）與山東天岳、天科合達簽約，并提前通過車規認證，以及SiC元件龍頭意法半導體（STM）與三安攜手建廠等。

近日，中國電子科技集團第二研究所（以下簡稱中電科二所）在SiC激光剝離設備研究方面取得了突破性進展。這一創新性的技術有望使SiC半導體器件的生產成本大幅降低，從而有望推動包括新能源汽車、光伏、智能電網等領域的科技進步。

據該項目的負責人介紹，SiC襯底是SiC器件成本的主要來源，占整個器件成本的45%左右。因此，通過這種方式，可以顯著降低SiC器件的生產成本。同時，由于SiC單晶的生長難度大，這種激光剝離技術還有望使單晶的利用率得到顯著提高。

目前歐、美、日SiC芯片廠供應仍占大宗。不過，歐、亞買家都出現采購策略大轉彎走勢，一是歐系IDM廠在料源取得漸朝「左擁歐美、右抱國內」方向邁去；其次，是亞洲客戶依賴與歐美料源廠比重，呈現有感下降，主要是國內廠支持力愈來愈強。

國內SiC芯片廠進展明顯，而國內廠與歐美料源廠間的距離，當下該如何形容？

目前看來，國內長晶廠具代表性仍以山東天岳、天科合達、爍科、同光。磊晶包括瀚天天成等，三安則是都概括；2023年初，亦有國內一線車廠欲大步擴張上游SiC長晶，但實際擴產未如預期；臺系廠長晶則包括環球晶、泛富士康的盛新、漢磊、穩晟等。

中電科突破性的研究成果無疑將為中國半導體產業的發展注入新的活力。未來，隨著SiC半導體器件成本的降低和性能的提升，其在新能源汽車、光伏、智能電網等領域的應用將進一步擴大，從而有力地推動這些領域的科技進步。同時，這也標志著中國在半導體制造領域的研究已經進入了一個新的階段。

在全球半導體市場上，SiC材料的短缺一直是制約相關產業發展的關鍵因素。而中電科二所的這一研究突破，不僅為中國的半導體產業提供了強大的技術支持，也打破了國際上對于SiC材料制備技術的壟斷。這將為中國的半導體產業帶來極大的競爭優勢。Q6228資訊網——每日最新資訊28at.com