Redmi Buds 4開箱簡評：才199還有降噪 可以無腦入
在上個月舉辦的Redmi Note11T Pro系列新機發布會上，除了兩款手機新品之外，Redmi還帶來了兩款TWS真無線藍牙耳機產品，Redmi Buds 4和Redmi Buds 4 Pro，此前我們在Redmi Note11T
快科技6月25日消息，據媒體報道，SK海力士在近期于美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上，重磅發布了關于3D DRAM技術的新研究成果，展示了其在該領域的深厚實力與持續創新。
據新消息，SK海力士在3D DRAM技術的研發上取得了顯著進展，并首次詳細公布了其開發的具體成果和特性。公司正全力加速這一前沿技術的開發，并已取得重大突破。
SK海力士透露，目前其5層堆疊的3D DRAM良品率已高達56.1%，這一數據意味著在單個測試晶圓上，能夠成功制造出約1000個3D DRAM單元，其中超過一半（即561個）為良品，可用于實際應用。
此外，SK海力士的實驗性3D DRAM在性能上已展現出與現有2D DRAM相媲美的特性。盡管3D DRAM技術擁有巨大的市場潛力和技術優勢，但SK海力士也坦誠地指出，在實現商業化之前，仍需進行大量的技術驗證和優化工作。
值得一提的是，與2D DRAM的穩定運行不同，3D DRAM在性能上還存在一定的不穩定性。因此，SK海力士認為，要達到廣泛應用的目標，需要進一步提升3D DRAM的堆疊層數，實現32層至192層堆疊的存儲單元。這一目標的實現，將極大地推動3D DRAM技術的商業化進程。
在當前的DRAM市場中，三星、SK海力士和美光等少數幾家主要參與者依然占據主導地位，共同占據了全球市場份額的96%以上。
本文鏈接：http://www.www897cc.com/showinfo-17-96502-0.htmlSK海力士5層堆疊3D DRAM新突破：良品率已達56.1%
聲明：本網頁內容旨在傳播知識，若有侵權等問題請及時與本網聯系，我們將在第一時間刪除處理。郵件：2376512515@qq.com
上一篇： OpenAI徹底終止對中國服務：百度、阿里等國產大模型集體出手！
下一篇： 馬斯克的夢想：王傳福要實現了
Copyright ? 2016-2023 天津谷騏科技有限公司 版權所有 sitemap.xml
違法及侵權請聯系：2376512515@qq.com 津ICP備18001702號
津公網安備 12010102000574號