快科技10月7日消息,近日,湖北九峰山實(shí)驗(yàn)室再次在硅光子集成領(lǐng)域取得里程碑式突破性進(jìn)展。
2024年9月,實(shí)驗(yàn)室成功點(diǎn)亮集成到硅基芯片內(nèi)部的激光光源,這也是該項(xiàng)技術(shù)在國內(nèi)的首次成功實(shí)現(xiàn)。
此項(xiàng)成果采用九峰山實(shí)驗(yàn)室自研異質(zhì)集成技術(shù),經(jīng)過復(fù)雜工藝過程,在8寸SOI晶圓內(nèi)部完成了磷化銦激光器的工藝集成。
該技術(shù)被業(yè)內(nèi)稱為“芯片出光”,它使用傳輸性能更好的光信號(hào)替代電信號(hào)進(jìn)行傳輸,是顛覆芯片間信號(hào)數(shù)據(jù)傳輸?shù)闹匾侄危诵哪康氖墙鉀Q當(dāng)前芯間電信號(hào)已接近物理極限的問題。
對數(shù)據(jù)中心、算力中心、CPU/GPU芯片、AI芯片等領(lǐng)域?qū)⑵鸬礁镄滦酝苿?dòng)作用。
基于硅基光電子集成的片上光互連,被認(rèn)為是在后摩爾時(shí)代突破集成電路技術(shù)發(fā)展所面臨的功耗、帶寬和延時(shí)等瓶頸的理想方案。
而業(yè)界目前對硅光全集成平臺(tái)的開發(fā)難的挑戰(zhàn)在于對硅光芯片的“心臟”,即能高效率發(fā)光的硅基片上光源的開發(fā)和集成上。該技術(shù)是我國光電子領(lǐng)域在國際上僅剩不多的空白環(huán)節(jié)。
九峰山實(shí)驗(yàn)室硅光工藝團(tuán)隊(duì)與合作伙伴協(xié)同攻關(guān),在8寸硅光晶圓上異質(zhì)鍵合III-V族激光器材料外延晶粒,再進(jìn)行CMOS兼容性的片上器件制成工藝,成功解決了III-V材料結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與生長、材料與晶圓鍵合良率低,及異質(zhì)集成晶圓片上圖形化與刻蝕控制等難點(diǎn)。經(jīng)過近十年的追趕攻關(guān),終成功點(diǎn)亮片內(nèi)激光,實(shí)現(xiàn)“芯片出光”。
九峰山實(shí)驗(yàn)室8寸硅基片上光源芯片晶圓
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由于在單個(gè)芯片上增加晶體管密度這條路徑越來越難,于是業(yè)界開辟出新思路,將多個(gè)芯粒封裝在同一塊基板上,以提升晶體管數(shù)量。
在單個(gè)封裝單元中芯粒越多,它們之間的互連就越多,數(shù)據(jù)傳輸距離也就越長,傳統(tǒng)的電互連技術(shù)迫切需要演進(jìn)升級(jí)。與電信號(hào)相比,光傳輸?shù)乃俣雀臁p耗更小、延遲更少,芯片間光互聯(lián)技術(shù)被認(rèn)為是推動(dòng)下一代信息技術(shù)革命的關(guān)鍵技術(shù)。
隨著人類對信息傳輸和處理的要求越來越高,“摩爾定律”驅(qū)使下的傳統(tǒng)微電子技術(shù)也已經(jīng)很難解決芯片在功耗、發(fā)熱、串?dāng)_等方面出現(xiàn)的問題。
而通過光電異質(zhì)集成技術(shù)可實(shí)現(xiàn)芯片間、芯片內(nèi)的光互連,將CMOS技術(shù)所具備的超大規(guī)模邏輯、超高精度制造的特性與光子技術(shù)超高速率、超低功耗的優(yōu)勢融合起來,把原本分離器件眾多的光、電元件縮小集成到一個(gè)獨(dú)立微芯片中,實(shí)現(xiàn)高集成度、低成本、高速光傳輸。光電異質(zhì)集成技術(shù)可有效解決微電子芯片目前的技術(shù)瓶頸問題,也是目前信息產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)超越摩爾技術(shù)路線的重要技術(shù)方向。
九峰山實(shí)驗(yàn)室8寸硅基片上光源芯片晶圓
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