4月7日消息，據日經xTECH報道，鎧俠首席技術官宮島英史在第71屆日本應用物理學會春季學術演講會上宣布，公司計劃在2030至2031年間推出具有1000層堆疊的3DNAND閃存。同時，他還透露了公司對存儲級內存(SCM)業務進行重組的計劃。4cj28資訊網——每日最新資訊28at.com

鎧俠與合作伙伴西部數據共同開發的NAND閃存技術已取得顯著進展，他們目前最尖端的產品是218層堆疊的BICS83D閃存，其I/O速率可達到3200MT/s。宮島英史指出，提升堆疊層數是提高單顆3DNAND閃存顆粒容量的關鍵途徑，但隨著層數的增加，在閃存顆粒中蝕刻垂直通道的難度也逐漸加大。為應對這一挑戰，鎧俠在BICS8中采用了雙堆棧工藝。4cj28資訊網——每日最新資訊28at.com

與此同時，另一NAND閃存巨頭三星也在積極研發高層數堆疊的3D NAND閃存。三星在2022年的技術日上預測，到2030年將實現1000+層堆疊的3DNAND閃存。據ITBEAR科技資訊了解，隨著堆疊層數的提升，高深寬比蝕刻技術的難度和耗時也在不斷增加，這成為制約NAND閃存發展的一個關鍵因素。4cj28資訊網——每日最新資訊28at.com

在演講中，宮島英史還強調了鎧俠在存儲級內存(SCM)領域的發展策略。他表示，在AI技術的推動下，DRAM和NAND之間的性能差距正在擴大，因此鎧俠看到了SCM市場的巨大潛力。為此，鎧俠決定將此前的“存儲器技術研究實驗室”重組為“先進技術研究實驗室”，以專注于MRAM、FeRAM、ReRAM等新型內存的研發。據悉，鎧俠有望在2至3年內推出SCM產品。4cj28資訊網——每日最新資訊28at.com

鎧俠之前在SCM領域主要聚焦于XL-FLASH閃存方案。2022年，該公司成功推出了支持MLC模式的第二代XL-FLASH產品，進一步豐富了其在新型存儲產品領域的布局。4cj28資訊網——每日最新資訊28at.com

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