長江存儲在2022年閃存峰會(FMS)上,正式發布了基于晶棧3.0(Xtacking 3.0)架構的第四代3D TLC NAND閃存芯片,名為X3-9070。相比上一代產品,X3-9070擁有更高的存儲密度、更快的I/O速度。
據Tech Insights報道,長江存儲的X3-9070已經量產了,除了用于致態TiPlus7100系列SSD,還被用在海康威視的CC700 2TB SSD上,這是首個進入零售市場的200+層3D NAND閃存解決方案,領先于三星、美光、SK海力士等廠商。
據長江存儲介紹,X3-9070的I/O傳輸速率達到了2400 MT/s,符合ONFI 5.0規范,相比上一代產品提高了50%的性能;得益于晶棧3.0架構,X3-9070成為了長江存儲有史以來存儲密度高的閃存顆粒,能夠在更小的單顆芯片中實現1Tb(128GB)的存儲容量;采用6-plane設計,相比一般的4-plane性能提升50%以上,同時功耗降低25%,能效比提高了,成本也更低了。
作為存儲大廠,今年美光、SK海力士和三星先后推出了200+層的3D NAND閃存解決方案。其中早的是美光,在5月就宣布推出業界首款232層的3D TLC NAND閃存,稱準備在2022年末開始生產,其采用了CuA架構,使用NAND的字符串堆疊技術,初始容量為1Tb(128GB)。
到了8月,SK海力士宣布已成功研發全球首款業界高層數的238層NAND閃存,并已經向合作伙伴發送238層512Gb TLC 4D NAND閃存的樣品。
三星在上個月宣布,已開始批量生產采用第8代V-NAND技術的產品,為1Tb(128GB)TLC 3D NAND閃存芯片,達到了236層。