英特爾在近期舉辦的2025年VLSI研討會上,詳細(xì)披露了其最新的18A制程節(jié)點技術(shù),標(biāo)志著半導(dǎo)體領(lǐng)域的又一大步邁進(jìn)。此番技術(shù)展示,明顯劍指臺積電2nm制程,競爭態(tài)勢顯著。
英特爾18A制程技術(shù)的核心在于兩項革命性創(chuàng)新:RibbonFET環(huán)繞柵極晶體管和PowerVia背面供電技術(shù)。RibbonFET技術(shù)通過全環(huán)繞柵極設(shè)計,實現(xiàn)了對電流前所未有的精準(zhǔn)控制,進(jìn)而大幅提升了晶體管的性能和能效。而PowerVia技術(shù)更是業(yè)界的一大突破,它將供電線路巧妙地轉(zhuǎn)移到了芯片的背面,此舉不僅為正面布線騰出了更多空間,還顯著提高了單元封裝密度和電力傳輸?shù)姆€(wěn)定性。
在PPA(性能、功耗、面積)的衡量標(biāo)準(zhǔn)下,Intel 18A制程展現(xiàn)出了卓越的表現(xiàn)。在基于標(biāo)準(zhǔn)Arm核心架構(gòu)的芯片測試中,相較于以往,該制程在1.1V電壓下實現(xiàn)了25%的速度提升和36%的功耗降低。同時,其面積利用率也高于前代Intel 3制程,預(yù)示著更高的面積效率和更高密度設(shè)計的可能性。
市場分析顯示,Intel 18A制程的性能值達(dá)到了2.53,略高于臺積電的N2制程的2.27。盡管在晶體管密度方面,Intel 18A可能稍遜于臺積電,但憑借PowerVia背面供電技術(shù)的創(chuàng)新,Intel 18A在面積效率和電力傳輸穩(wěn)定性方面展現(xiàn)出了顯著優(yōu)勢。TechInsights的分析同樣證實了Intel 18A在性能上的領(lǐng)先地位。
據(jù)悉,英特爾計劃首先在Panther Lake SoC和面向高性能計算的Xeon Clearwater Forest產(chǎn)品中采用Intel 18A制程。市場預(yù)測,搭載該制程的終端產(chǎn)品最早將于2026年面世。若良率問題得以妥善解決,Intel 18A制程有望成為臺積電2nm制程的有力對手,并在云計算、人工智能等領(lǐng)域助力英特爾市場份額的進(jìn)一步增長。
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