紅魔電競平板評測：大屏幕硬實力
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集微網消息，據外媒報道，咨詢公司Frost&Sullivan日前舉行的寬禁帶半導體研討會上，美國產業界專家對拓展新一代半導體材料應用領域提出了新的見解。
Navitas Semiconductor投資者關系副總裁Stephen Oliver提出“改造”氮化鎵和碳化硅的想法。Oliver指出，GaN可以使用傳統硅晶圓廠進行制造，這些晶圓廠通常采用500 nm工藝技術，僅在美國就有440家晶圓廠使用6英寸傳統硅工藝和設備，可以用最少的投資進行改造來生產GaN。這種方法通過利用新材料同時重新利用現有設備，符合設施層面的“減少、再利用、回收”原則。改造GaN和SiC材料可能成為寬禁帶半導體的盈利途徑，目前其在生產和提高晶圓廠效率方面面臨挑戰。
另一項新興技術進步是綠色氫能，其環境效益是能源生產中溫室氣體零排放。
Frost&Sullivan全球電力和能源研究負責人Jonathan Robinson指出，“這個行業在三年前幾乎不存在，但現在正在全球范圍內迅速部署大量投資，中國、美國和歐盟處于領先地位，許多國家優先考慮本國境內的設備制造和氫氣生產。過去18個月至兩年的地緣政治事件進一步凸顯了綠色氫的重要性，使其成為許多國家的首要任務。因此，綠色氫能行業正處于非常強勁的增長軌道。”
報道指出，寬禁帶半導體已用于太陽能DC/DC轉換器，也可以在綠色氫中找到類似的應用。綠氫行業對寬禁帶半導體具有巨大的潛力，因為它們在生產和利用綠氫方面發揮著雙重作用。GaN和SiC器件通常用于其他應用領域以提高功率效率，可以在提高電解水制氫效率方面發揮關鍵作用。
綠色氫還可用于燃料電池汽車，它為內燃機汽車提供了更清潔的替代品。寬禁帶半導體可以提高這些車輛所用燃料電池系統的效率和性能，有助于減少排放并提高整體可持續性。
Leapers Semiconductor銷售總監Alexey Cherkasov則表示，SiC可用于航空航天和高超音速飛機領域。這歸因于SiC可以在超過800°C的溫度下工作，激發了人們對SiC MOSFET太空探索應用的興趣。
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