ictimes消息,三星電子,一直致力于在半導(dǎo)體存儲設(shè)備領(lǐng)域保持領(lǐng)先地位,近期更是加快了下一代存儲器技術(shù)“計算快速鏈接”(CXL)的開發(fā)和量產(chǎn)。這一舉措無疑是為了在市場上占據(jù)主導(dǎo)地位,進一步鞏固其行業(yè)領(lǐng)先地位。
據(jù)專利檢索系統(tǒng)KIPRIS顯示,三星電子于12月4日同時申請了三星CMM-D、三星CMM-DC、三星CMM-H、三星CMM-HC4個商標。這些商標專用于半導(dǎo)體存儲設(shè)備、集成電路和數(shù)據(jù)存儲設(shè)備。CMM,全稱為CXL Memory Module,是國際半導(dǎo)體標準化組織JEDEC在CXL基礎(chǔ)上制定的存儲器規(guī)范。在三星電子內(nèi)部,CXL通常被稱為CMM。
業(yè)界普遍認為,在處理數(shù)據(jù)量呈指數(shù)級增長的人工智能時代,CXL是克服現(xiàn)有DRAM局限性的關(guān)鍵解決方案。CXL的市場潛力巨大。市場研究公司Yole Group預(yù)測,到2028年,全球CXL市場將達到150億美元。
三星電子在2021年5月成功開發(fā)出世界上第一個基于CXL的DRAM技術(shù),并在去年推出了業(yè)界首個高容量512 GB CXL DRAM。今年5月,他們又成功開發(fā)出支持CXL 2.0的128GB CXL DRAM,并計劃在年內(nèi)實現(xiàn)量產(chǎn)。
三星電子的這一系列動作表明,他們正在積極布局下一代存儲器技術(shù)市場,以保持其在半導(dǎo)體存儲設(shè)備領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。未來,我們期待三星電子能夠繼續(xù)推出更多創(chuàng)新產(chǎn)品,為全球半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展做出更大的貢獻。
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