ictimes消息,三星公司在半導體領域取得了引人注目的突破,其極紫外(EUV)光刻技術實現了顯著的進展。在最近舉行的“KISM2023”學術會議上,三星DS事業部研究員康永錫(Kang Young-seok)詳細介紹了EUV技術的現狀和未來發展方向。
據了解,三星的EUV技術的核心在于其對EUV薄膜的創新應用,這種材料在半導體生產的光刻過程中扮演著至關重要的角色,能夠有效保護光刻區域,防止外部顆粒引起的缺陷??涤厘a透露,三星目前采用的EUV薄膜透光率已經達到驚人的90%,而公司計劃將其進一步提升至94-96%的水平。
這一90%的透光率意味著只有部分光線能夠穿透薄膜,達到掩膜的效果,相較于一般使用氟化氬(ArF)光源的光刻工藝,其透光率較低,后者通常能夠達到99.3%。這突破性的技術提升為三星在EUV代工生產線上引入了更多的客戶打開了新的可能性。盡管在DRAM生產中也采用了EUV工藝,但鑒于生產效率和成本的考慮,存儲器的量產仍然被認為是可行的選擇。
此外,康永錫暗示三星在采用EUV薄膜時并未選擇國內供應商的產品。他透露,目前唯一的供應商是日本三井公司。雖然韓國的一些公司,如FST和S&S Tech,也在積極開發EUV薄膜,但迄今為止還未達到量產的水平。
這一新聞表明,三星在半導體領域不斷取得創新突破,其EUV技術的進步為行業帶來了新的發展方向。隨著EUV薄膜透光率的不斷提升,相信三星將在未來取得更加顯著的成就,推動半導體制造技術邁向新的高度。
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