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三星Galaxy S24明年Q1上市,將搭載LLW DRAM技術

來源: 責編: 時間:2023-12-05 09:24:35 277觀看
導讀為了進一步加強在人工智能(AI)手機領域的布局,三星電子有望在2024年春季旗艦機Galaxy S24上首次搭載低延遲帶寬(Low Latency Wide IO;LLW)DRAM。消息透露,LLW DRAM將于2024年量產,預計三星Galaxy S24計劃于同年第1季上市,因此

為了進一步加強在人工智能(AI)手機領域的布局,三星電子有望在2024年春季旗艦機Galaxy S24上首次搭載低延遲帶寬(Low Latency Wide IO;LLW)DRAM。消息透露,LLW DRAM將于2024年量產,預計三星Galaxy S24計劃于同年第1季上市,因此有可能成為首款搭載這一創新技術的手機。Ms928資訊網——每日最新資訊28at.com


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LLW DRAM采用增加輸入/輸出(I/O)端口數量的方式,提升了數據處理能力,相較于傳統移動產品,其數據處理能力更為出色。此外,與一般DRAM相比,LLW DRAM電源使用效率提高了70%,使其成為智能終端(On-Device AI)技術的理想選擇。智能終端技術允許在終端設備上直接處理AI算法,實現更高效的AI功能,同時有助于確保手機等設備中的通話數據等個人資料的安全性。Ms928資訊網——每日最新資訊28at.com


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在此之前,三星曾在2023年10月的Samsung Memory Tech Day 2023上提到LLW DRAM,并于2023年11月底透過社交媒體發布了LLW DRAM的介紹視頻,暗示其將在延展實境(XR)、手機、游戲、電腦等多個產品領域得到應用。Ms928資訊網——每日最新資訊28at.com


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雖然三星尚未正式公布LLW DRAM的搭載時機,但當前情況顯示,三星有望在Galaxy S24上率先采用這一先進的技術。事實上,三星在2023年第3季度財報電話會議上透露,將在2024年開始在Galaxy手機上引入智能終端技術。而在同年11月,三星發布了生成式AI模型三星高斯(Samsung Gauss),并宣布未來的AI手機將以智能終端技術為基礎,支持實時翻譯通話等創新功能。Ms928資訊網——每日最新資訊28at.com


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此外,最近三星還在歐盟智能財產局(EUIPO)、英國智能產權局(IPO)等機構完成了AI Smartphone、AI Phone的商標注冊程序。預計三星將在2024年1月17日的Galaxy Unpack活動上正式發布Galaxy S24系列,屆時還將一同推出Galaxy Book 4系列。這一系列動作顯示出三星在AI手機領域的積極探索和創新努力。Ms928資訊網——每日最新資訊28at.com


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