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Nexperia發(fā)布首款SiC MOSFET

來源：責(zé)編：時(shí)間：2023-12-04 17:27:31 286觀看

導(dǎo)讀在科技風(fēng)潮中，Nexperia于11月30日宣布推出了其首款碳化硅（SiC）MOSFET，并隆重發(fā)布了兩款1200V的分立器件，采用3引腳TO-247封裝，RDS(on)分別為40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0標(biāo)志著Nexperia SiC MOSFET產(chǎn)品系

在科技風(fēng)潮中，Nexperia于11月30日宣布推出了其首款碳化硅（SiC）MOSFET，并隆重發(fā)布了兩款1200V的分立器件，采用3引腳TO-247封裝，RDS(on)分別為40 mΩ 和80 mΩ。

NSF040120L3A0和NSF080120L3A0標(biāo)志著Nexperia SiC MOSFET產(chǎn)品系列的首次亮相，預(yù)示著更多創(chuàng)新產(chǎn)品即將推出。未來，Nexperia將擴(kuò)大產(chǎn)品陣容，推出具有不同RDS(on)的多款器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝的靈活選擇。這兩款即時(shí)可用的器件旨在滿足電動(dòng)汽車（EV）充電樁、不間斷電源（UPS）、太陽能和儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）逆變器等汽車和工業(yè)領(lǐng)域?qū)Ω咝阅躍iC MOSFET的日益增長(zhǎng)的需求。

Nexperia高級(jí)總監(jiān)兼SiC產(chǎn)品部主管Katrin Feurle表示：“Nexperia和三菱電機(jī)聯(lián)手推出這兩款先鋒產(chǎn)品，旨在激發(fā)更多創(chuàng)新，助力市場(chǎng)涌現(xiàn)更多功率器件供應(yīng)商。我們的SiC MOSFET器件已超越同類產(chǎn)品，具有極高的RDS(on)溫度穩(wěn)定性、較低的體二極管壓降、嚴(yán)格的閾值電壓規(guī)格以及極其均衡的柵極電荷比，可可靠地防止寄生導(dǎo)通。這標(biāo)志著我們與三菱電機(jī)共同致力于生產(chǎn)高質(zhì)量SiC MOSFET的開端。毫無疑問，未來幾年，我們將共同推動(dòng)SiC器件性能的革新。”新時(shí)代的高性能應(yīng)用正因Nexperia的SiC MOSFET而展翅翱翔。

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