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Nexperia發布首款SiC MOSFET

來源: 責編: 時間:2023-12-04 17:27:31 287觀看
導讀在科技風潮中,Nexperia于11月30日宣布推出了其首款碳化硅(SiC)MOSFET,并隆重發布了兩款1200V的分立器件,采用3引腳TO-247封裝,RDS(on)分別為40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0標志著Nexperia SiC MOSFET產品系

在科技風潮中,Nexperia于11月30日宣布推出了其首款碳化硅(SiC)MOSFET,并隆重發布了兩款1200V的分立器件,采用3引腳TO-247封裝,RDS(on)分別為40 mΩ 和80 mΩ。hRO28資訊網——每日最新資訊28at.com


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NSF040120L3A0和NSF080120L3A0標志著Nexperia SiC MOSFET產品系列的首次亮相,預示著更多創新產品即將推出。未來,Nexperia將擴大產品陣容,推出具有不同RDS(on)的多款器件,并提供通孔封裝和表面貼裝封裝的靈活選擇。這兩款即時可用的器件旨在滿足電動汽車(EV)充電樁、不間斷電源(UPS)、太陽能和儲能系統(ESS)逆變器等汽車和工業領域對高性能SiC MOSFET的日益增長的需求。hRO28資訊網——每日最新資訊28at.com


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Nexperia高級總監兼SiC產品部主管Katrin Feurle表示:“Nexperia和三菱電機聯手推出這兩款先鋒產品,旨在激發更多創新,助力市場涌現更多功率器件供應商。我們的SiC MOSFET器件已超越同類產品,具有極高的RDS(on)溫度穩定性、較低的體二極管壓降、嚴格的閾值電壓規格以及極其均衡的柵極電荷比,可可靠地防止寄生導通。這標志著我們與三菱電機共同致力于生產高質量SiC MOSFET的開端。毫無疑問,未來幾年,我們將共同推動SiC器件性能的革新。”新時代的高性能應用正因Nexperia的SiC MOSFET而展翅翱翔。hRO28資訊網——每日最新資訊28at.com


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