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三星Galaxy S24整合LLW DRAM,能效提升70%

來源: 責編: 時間:2023-12-02 17:22:07 342觀看
導讀三星電子半導體通過其社交媒體平臺“X”首次發布了一則長達44秒的LLW DRAM廣告視頻。這標志著三星首次向公眾介紹LLW DRAM。視頻揭示,LLW DRAM并非完全替代現有的DRAM,而是與CPU協同工作,計劃將其應用于擴展現實(XR)、智能

三星電子半導體通過其社交媒體平臺“X”首次發布了一則長達44秒的LLW DRAM廣告視頻。這標志著三星首次向公眾介紹LLW DRAM。視頻揭示,LLW DRAM并非完全替代現有的DRAM,而是與CPU協同工作,計劃將其應用于擴展現實(XR)、智能手機、游戲和個人電腦等領域。OG928資訊網——每日最新資訊28at.com


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據業內分析,三星電子有望在即將發布的Galaxy S24中首次搭載創新內存LLW(低延遲寬I/O)DRAM,以支持設備上的人工智能。Galaxy S24計劃于明年第一季度發布。OG928資訊網——每日最新資訊28at.com


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LLW DRAM是專為設備上人工智能而設計的動態隨機存儲器(DRAM)。通過增加輸入/輸出端口(I/O),LLW DRAM技術提高了數據處理能力(帶寬),當靠近處理器時,相較于普通DRAM,功耗效率提高約70%。OG928資訊網——每日最新資訊28at.com


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盡管目前尚不清楚三星電子何時將采用LLW DRAM,但跡象表明,它有望首次應用于Galaxy S24。這一舉措將進一步鞏固三星在半導體領域的創新地位,為未來的智能設備提供更高性能和更低延遲的內存解決方案。OG928資訊網——每日最新資訊28at.com


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