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國內半導體突破,美國制裁影響待觀察

來源: 責編: 時間:2023-12-01 17:14:57 270觀看
導讀長鑫存儲在國內率先推出面向手機領域的LPDDR5存儲器,這一突破被視為在縮小與對手差距方面取得關鍵進展。然而,面對美國對國內芯片與設備出口的壓制力道不斷升高,國內自主半導體產業的發展仍面臨挑戰。長鑫存儲在良率、價

長鑫存儲在國內率先推出面向手機領域的LPDDR5存儲器,這一突破被視為在縮小與對手差距方面取得關鍵進展。然而,面對美國對國內芯片與設備出口的壓制力道不斷升高,國內自主半導體產業的發展仍面臨挑戰。CN928資訊網——每日最新資訊28at.com


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長鑫存儲在良率、價格和品質上仍面臨一場艱苦戰斗。盡管如此,長鑫存儲的這一突破正值國內在半導體開發和制造技術方面持續取得緩慢但穩定進展之際。華為自研的Mate 60 Pro移動處理器采7納米制程、由中芯國際量產,這一成就令全球震驚。盡管NVIDIA CEO黃仁勳對華為的7納米芯片提出質疑,但這一進展仍表明國內在半導體領域的實力正在不斷增強。CN928資訊網——每日最新資訊28at.com


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在長鑫存儲發布LPDDR5的前一天,龍芯中科在北京舉行的“2023龍芯產品發布暨用戶大會”上,正式發表了基于龍芯自主“龍架構”(LoongArch)的新一代3A6000自制桌上型電腦處理器。這款處理器采用14/12納米制程,是完全自主設計的產品。龍芯在發表會上將3A6000與英特爾(Intel)第10代處理器和超微(AMD)Zen 3 CPU進行了比較。CN928資訊網——每日最新資訊28at.com


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盡管長鑫存儲沒有透露用于制造其自研LPDDR5 DRAM的制程技術,但市場研究機構Counterpoint Research表示,長鑫存儲要在價格和品質上與韓國DRAM制造商相比,競爭力方面會面臨一場艱苦戰斗。該機構還推估用于生產存儲器的制程技術可能不會太先進,以能保持在美國設定的紅線以內。CN928資訊網——每日最新資訊28at.com


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三星于2018年推出業界首款8Gb LPDDR5芯片,隨后在2021年升級至基于14納米節點的16Gb LPDDR5X芯片;SK海力士(SK Hynix)于2021年3月開始量產LPDDR5移動DRAM;美光則于2020年初宣布推出LPDDR5芯片。這些國際大廠早已布局LPDDR5技術,并持續升級至最新的存儲器技術,這對長鑫存儲來說無疑是一個巨大的挑戰。CN928資訊網——每日最新資訊28at.com


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然而,長鑫存儲的突破仍值得肯定。盡管面臨來自美國的壓力和挑戰,但長鑫存儲在自主研發和科技創新方面的努力是值得贊揚的。同時,隨著國內半導體產業的不斷發展,我們期待看到更多這樣的突破,為全球半導體市場帶來新的變化和機遇。CN928資訊網——每日最新資訊28at.com


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