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意法斥資50億歐元打造SiC超級晶圓廠

來源: 責編: 時間:2023-12-01 17:13:47 265觀看
導讀近日,法國半導體巨頭意法半導體(STMicroelectronics)計劃在意大利西西里島Catane投資50億歐元(約392億人民幣),興建一座碳化硅(SiC)超級半導體晶圓廠。這一重磅決定旨在平衡公司在法國和意大利的布局,并為電動車關鍵技術的研發(fā)

近日,法國半導體巨頭意法半導體(STMicroelectronics)計劃在意大利西西里島Catane投資50億歐元(約392億人民幣),興建一座碳化硅(SiC)超級半導體晶圓廠。這一重磅決定旨在平衡公司在法國和意大利的布局,并為電動車關鍵技術的研發(fā)提供強大支持。B1B28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com


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為保持競爭力,意法半導體計劃自2024年起轉(zhuǎn)型至8英寸晶圓制造,并整合Soitec的SmartSiC技術以提高效能并減少碳排放。公司還積極提升產(chǎn)能,加強內(nèi)部制造,并與中國企業(yè)三安光電展開合作,旨在將SiC芯片相關營收由今年預期的12億美元提升至2030年前的50億美元。B1B28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com


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這不是意法半導體與三安光電的首次合作。早在今年6月7日,雙方就達成協(xié)議,在重慶建立新的8英寸SiC器件合資制造廠,總投資達32億美元。為確保龐大的投資計劃順利進行,三安光電將利用自研SiC襯底工藝獨立建造和運營8英寸SiC襯底制造廠,以滿足合資廠的需求,助力意法半導體加速向8英寸進軍。B1B28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com


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分析機構TrendForce集邦咨詢指出,目前SiC產(chǎn)業(yè)主要以6英寸襯底為主,但8英寸襯底僅占1%,向更大的8英寸襯底過渡是未來降低SiC器件成本的關鍵策略。8英寸SiC襯底相較于6英寸同類襯底具有明顯的成本優(yōu)勢,是行業(yè)發(fā)展的大趨勢。國內(nèi)外龍頭企業(yè)紛紛推進8英寸SiC襯底的研發(fā),將襯底成本降低后,有望進一步推廣SiC器件,為產(chǎn)業(yè)形成良性循環(huán)。B1B28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com


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此舉引起了國際半導體巨頭的積極響應,英飛凌、安森美等均已加入爭奪市場份額的行列。英飛凌已制備第一批8英寸晶圓機械樣品,計劃在2030年前進行大規(guī)模量產(chǎn)應用。安森美、羅姆等國際器件大廠也制定了8英寸SiC晶圓的發(fā)展規(guī)劃,共同參與市場競爭。B1B28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com


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