一加Ace2 Pro官宣：普及16G內存 引領24G
一加官方今天繼續為本月發布的新機一加Ace2 Pro帶來預熱，公布了內存方面的信息。“淘汰 8GB ，12GB 起步，16GB 普及，24GB 引領，還有呢？#一加Ace2Pro#，2023 年 8 月，敬請期待。”同時
在半導體領域，牛津儀器（Oxford Instruments）日前宣布其旗下用于GaN HEMT器件生產的等離子原子層沉積（ALD）和原子層蝕刻（ALE）設備已贏得多家日本代工廠的大量訂單，標志著GaN技術迎來了一次新的突破。
這一系列設備將為GaN電力電子和射頻市場提供支持，特別是在消費類快速充電和數據中心應用方面。Oxford Instruments的ALD技術以高通量、低損傷的等離子處理而著稱，主要服務于GaN HEMT器件制造商。
該公司的p-GaN HEMT的ALE解決方案已通過生產認證，利用Etchpoint技術實現低損傷蝕刻，提高器件可靠性。這一技術不僅可自動切換處理模式，還能以高精度實現AlGaN凹槽蝕刻，為下一代GaN MISHEMT E-mode器件功能打下基礎。
據牛津儀器GaN產品經理Aileen O’Mahony透露，ALD設備的應用使得GaN HEMT產量在日本電力電子和射頻市場大幅提升，為公司帶來豐厚回報。該公司致力于提供完整的GaN HEMT解決方案，提高設備產量、可靠性和正常運行時間。
GaN作為第三代半導體材料，表現出色，尤其在電力電子和射頻通信領域。據TrendForce集邦咨詢預估，全球GaN功率元件市場規模將在未來數年內迎來快速增長。牛津儀器的ALD設備將為高性能、高可靠性和高效率的GaN功率器件的實現提供強有力的支持，推動GaN技術在電力電子和射頻通信領域的廣泛應用。
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