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瑤光半導體:SiC激光退火設備通過驗收

來源: 責編: 時間:2023-11-28 17:12:13 293觀看
導讀ictimes消息,近期,瑤光半導體喜報頻傳,其自主研發的SiC/Si基激光退火設備成功通過驗收,并已投入客戶新產線的生產使用。這一設備廣泛應用于硅基IGBT離子摻雜激活和碳化硅背面電極鍍膜退火等多個工藝。據了解,該產線計劃年

ictimes消息,近期,瑤光半導體喜報頻傳,其自主研發的SiC/Si基激光退火設備成功通過驗收,并已投入客戶新產線的生產使用。這一設備廣泛應用于硅基IGBT離子摻雜激活和碳化硅背面電極鍍膜退火等多個工藝。JDW28資訊網——每日最新資訊28at.com


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據了解,該產線計劃年產一億顆功率芯片和1萬片6英寸SiC外延片,涵蓋“10萬片SiC外延片及JBS、MOSFET功率集成電路”。瑤光半導體的激光退火設備以微秒級的控制系統、晶圓厚度測量功能以及卓越的光學整形裝置著稱,為晶圓的退火工藝提供高效解決方案。JDW28資訊網——每日最新資訊28at.com


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作為浙江工業大學莫干山研究院今年引進的重點項目,瑤光半導體致力于第三代寬禁帶半導體制程設備的研發、生產和銷售。公司已成功完成閉環溫度控制系統,并擁有功率芯片背面激光退火方法、SiC外延生長方案、惰性氣體屏障技術等多項專有技術。JDW28資訊網——每日最新資訊28at.com


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除了SiC激光退火設備,瑤光半導體旗下設備“星型SiC MOCVD”(ES600)預計將于今年四季度完成研發。SiC晶圓激光退火技術(LSA)以其升溫迅速、控制靈敏、熱傳導深度淺、連續能量輸出穩定等特點逐漸成為新一代主流退火技術。隨著市場對SiC等功率半導體的技術升級和需求增長,瑤光半導體積極引領行業創新,不斷擴大市場份額。JDW28資訊網——每日最新資訊28at.com


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