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瑤光半導(dǎo)體：SiC激光退火設(shè)備通過(guò)驗(yàn)收

來(lái)源：責(zé)編：時(shí)間：2023-11-28 17:12:13 272觀看

導(dǎo)讀ictimes消息，近期，瑤光半導(dǎo)體喜報(bào)頻傳，其自主研發(fā)的SiC/Si基激光退火設(shè)備成功通過(guò)驗(yàn)收，并已投入客戶新產(chǎn)線的生產(chǎn)使用。這一設(shè)備廣泛應(yīng)用于硅基IGBT離子摻雜激活和碳化硅背面電極鍍膜退火等多個(gè)工藝。據(jù)了解，該產(chǎn)線計(jì)劃年

ictimes消息，近期，瑤光半導(dǎo)體喜報(bào)頻傳，其自主研發(fā)的SiC/Si基激光退火設(shè)備成功通過(guò)驗(yàn)收，并已投入客戶新產(chǎn)線的生產(chǎn)使用。這一設(shè)備廣泛應(yīng)用于硅基IGBT離子摻雜激活和碳化硅背面電極鍍膜退火等多個(gè)工藝。

據(jù)了解，該產(chǎn)線計(jì)劃年產(chǎn)一億顆功率芯片和1萬(wàn)片6英寸SiC外延片，涵蓋“10萬(wàn)片SiC外延片及JBS、MOSFET功率集成電路”。瑤光半導(dǎo)體的激光退火設(shè)備以微秒級(jí)的控制系統(tǒng)、晶圓厚度測(cè)量功能以及卓越的光學(xué)整形裝置著稱，為晶圓的退火工藝提供高效解決方案。

作為浙江工業(yè)大學(xué)莫干山研究院今年引進(jìn)的重點(diǎn)項(xiàng)目，瑤光半導(dǎo)體致力于第三代寬禁帶半導(dǎo)體制程設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。公司已成功完成閉環(huán)溫度控制系統(tǒng)，并擁有功率芯片背面激光退火方法、SiC外延生長(zhǎng)方案、惰性氣體屏障技術(shù)等多項(xiàng)專有技術(shù)。

除了SiC激光退火設(shè)備，瑤光半導(dǎo)體旗下設(shè)備“星型SiC MOCVD”（ES600)預(yù)計(jì)將于今年四季度完成研發(fā)。SiC晶圓激光退火技術(shù)（LSA）以其升溫迅速、控制靈敏、熱傳導(dǎo)深度淺、連續(xù)能量輸出穩(wěn)定等特點(diǎn)逐漸成為新一代主流退火技術(shù)。隨著市場(chǎng)對(duì)SiC等功率半導(dǎo)體的技術(shù)升級(jí)和需求增長(zhǎng)，瑤光半導(dǎo)體積極引領(lǐng)行業(yè)創(chuàng)新，不斷擴(kuò)大市場(chǎng)份額。

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