Rust中的高吞吐量流處理
作者 | Noz編譯 | 王瑞平本篇文章主要介紹了Rust中流處理的概念、方法和優化。作者不僅介紹了流處理的基本概念以及Rust中常用的流處理庫，還使用這些庫實現了一個流處理程序
中國的研究人員在國際固態電路研討會（ISSCC）上的表現再次引人注目。據最新公布的數據，中國提交的論文數量在ISSCC 2024上大幅增加，連續兩年位居全球第一。同時，韓國三星電子也在企業排名中拔得頭籌。
ISSCC被視為電子設計領域的頂級盛會，每年都會吸引全球的研究人員和企業展示他們的最新成果。今年的會議將于2024年2月舉行，共收到了873篇論文，比去年增加了42篇，打破了以往的所有記錄。
在這些論文中，中國的表現尤為突出，共有69篇論文被ISSCC收錄，這是連續兩年超過美國，成為全球論文收錄數量最多的國家。相比之下，美國此次有49篇論文被收錄。
中國的這一成就離不開其不斷擴大的集成電路（IC）設計研究基礎。近年來，中國政府在科技領域投入了大量資源，鼓勵并支持各大高校、科研機構以及企業在芯片技術方面進行深入研究和開發。
首爾大學電機電子通訊工學系的教授崔在赫指出，中國不僅在論文數量上有所增加，論文的質量也有了明顯的提升。他認為，這一趨勢預示著中國在IC設計領域的實力正在不斷增強。
在企業方面，韓國三星電子共提交了14篇與存儲器及先進制程相關的論文，這是連續兩年在全球企業排名中奪冠。緊隨其后的是SK海力士和臺積電。
值得注意的是，三星和SK海力士在存儲器領域的實力仍然不容小覷。這兩家公司在存儲器領域的論文數量達到了28篇，占比高達32%。
三星預計將搶先業界發表37Gbps速度的DRAM技術、第9代280層1TB NAND Flash，以及32Gb DDR5 DRAM。而作為高帶寬存儲器（HBM）市場占有率第一的SK海力士，則計劃在ISSCC上公開16層堆疊的48GB HBM3E技術。
這些領先的科技企業不僅展示了他們在技術研發方面的實力，同時也彰顯了他們在全球半導體市場中的主導地位。這些公司的研究成果不僅將推動半導體行業的發展，也將對未來的科技產生深遠影響。
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