近日,長江存儲與美光芯片之爭再度升級。美國加州北區(qū)地方法院于9日收到長江存儲對美光科技提起的訴訟,指責(zé)美光侵犯了長江存儲的8項與3D NAND相關(guān)的美國專利。
在這場官司中,長江存儲所提及的美國專利包括US10,950,623(涉及3D NAND內(nèi)存件及其形成方法)、US11,501,822(與非易失性存儲裝置及控制方法相關(guān))、US10,658,378(涉及三維內(nèi)存件的直通陣列接觸(TAC))、US10,937,806(與3D內(nèi)存件的直通陣列接觸(TAC)相關(guān))、US10,861,872(關(guān)于三D內(nèi)存件及其形成方法的專利)、US11,468,957(針對NAND內(nèi)存操作體系結(jié)構(gòu)和方法的專利)、US11,600,342(與三D維閃存的讀取方法相關(guān))、US10,868,031(涉及多層堆疊三D內(nèi)存件及其制造方法的專利)。
長江存儲在訴狀中聲稱,美光的128層、176層等多系列3D NAND產(chǎn)品均侵犯了長江存儲的8項專利。他們指責(zé)美光在未經(jīng)授權(quán)的情況下使用長江存儲的專利技術(shù),以便與長江存儲競爭,捍衛(wèi)市場份額,卻違背了長江存儲的利益,阻礙了創(chuàng)新的推動力。
隨著近年來3D NAND技術(shù)層疊達(dá)到128層甚至更高,周邊CMOS電路占據(jù)的芯片面積可能超過50%。為解決這一問題,長江存儲在2018年推出了自家研發(fā)的Xtacking技術(shù)。
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