石頭自清潔掃拖機(jī)器人G10S評測：多年黑科技集大成之作 懶人終極福音
科技圈經(jīng)常能看到一個(gè)詞叫“縫合怪”，用來形容那些把好多功能或者外觀結(jié)合在一起的產(chǎn)品，通常這樣的詞是貶義詞，但如果真的是產(chǎn)品縫合的好、縫合的實(shí)用的話，那它就成了中性詞，今
臺積電在15日舉辦的2025年技術(shù)論壇上展示了多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)創(chuàng)新與未來規(guī)劃。
在先進(jìn)制程技術(shù)方面，臺積電推出了A14和A16工藝。A14將通過更強(qiáng)的運(yùn)算能力和更高的能源效率加速AI發(fā)展，與N2制程相比，同功耗下速度提升15%，同速度下功率降低30%，邏輯密度增加超20%。A14計(jì)劃于2028年投產(chǎn)，搭載超級電軌技術(shù)的版本預(yù)計(jì)于2029年推出。A16則針對數(shù)據(jù)中心AI/HPC產(chǎn)品，提供背面供電技術(shù)和優(yōu)化邏輯密度，計(jì)劃于2026年下半年量產(chǎn)。
2納米（N2）制程按計(jì)劃將于2025年下半年量產(chǎn)，256Mb SRAM的平均良率已超過90%。N2P預(yù)計(jì)于2026年下半年量產(chǎn)，與N3E相比，同功耗下速度提升18%，同速度下功率降低36%，邏輯密度增加1.2倍。N2X計(jì)劃于2027年量產(chǎn)，提供約10%的Fmax（最大時(shí)鐘頻率）。
此外，N3系列技術(shù)預(yù)計(jì)將成為高產(chǎn)量且長期生產(chǎn)的技術(shù)。截至2025年4月，已有超過70個(gè)新設(shè)計(jì)定案，N3E正為旗艦移動和HPC、AI產(chǎn)品高度量產(chǎn)；N3P將于2024年第四季度量產(chǎn)。N3X、N3C和N3A分別針對CPU、價(jià)值優(yōu)先產(chǎn)品和汽車應(yīng)用，其中N3A有望獲得AEC-Q100一級認(rèn)證，預(yù)計(jì)2025年底生產(chǎn)就緒。
臺積電還在技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)能擴(kuò)展方面取得顯著進(jìn)展。CFET設(shè)計(jì)被視為有前景的微縮技術(shù)，通過將nFET和pFET垂直堆疊，實(shí)現(xiàn)了近2倍的晶體管密度。臺積電還展示了基于2D材料的晶體管和堆疊納米片晶體管架構(gòu)的電氣性能。
在3DFabric技術(shù)方面，SoIC平臺用于3D硅堆疊，SoIC-P和SoIC-X堆疊方案計(jì)劃于2025年量產(chǎn)。CoWoS技術(shù)針對HPC應(yīng)用，整合先進(jìn)邏輯和HBM，5.5倍光罩尺寸的CoWoS-L技術(shù)預(yù)計(jì)于2026年推出，9.5倍光罩尺寸的CoWoS計(jì)劃于2027年量產(chǎn)。
臺積電的系統(tǒng)級晶圓（SoW）技術(shù)將邏輯和HBM晶圓級整合，滿足AI訓(xùn)練對運(yùn)算能力的需求。SoW-X計(jì)劃于2027年量產(chǎn)，其運(yùn)算能力比現(xiàn)有CoWoS解決方案高40倍。特殊制程技術(shù)方面，臺積電提供首款HBM基礎(chǔ)裸晶，N12基礎(chǔ)裸晶解決方案已準(zhǔn)備就緒，N3版本預(yù)計(jì)2025年底就緒。
為滿足AI應(yīng)用需求，臺積電持續(xù)擴(kuò)大先進(jìn)制程產(chǎn)能。2025年，與AI相關(guān)產(chǎn)品的晶圓出貨量預(yù)計(jì)是2021年的12倍，大尺寸芯片產(chǎn)品出貨量預(yù)計(jì)是2021年的8倍。在先進(jìn)封裝領(lǐng)域，2022年至2026年，SoIC產(chǎn)能年復(fù)合增長率將超100%，CoWoS產(chǎn)能年復(fù)合增長率將超80%。
臺積電預(yù)測，到2030年，全球半導(dǎo)體市場將達(dá)到1萬億美元，主要由高效運(yùn)算（45%）、智能手機(jī)（25%）、汽車（15%）和物聯(lián)網(wǎng)（10%）等應(yīng)用主導(dǎo)。
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