據(jù)大眾日報報道，艾恩半導(dǎo)體自主研發(fā)的第一代碳化硅離子注入機已進入市場驗證階段。此外，該公司對標(biāo)國際領(lǐng)先技術(shù)的第二代碳化硅離子注入機正在加速研發(fā)，預(yù)計今年9月面市。今年6月，艾恩半導(dǎo)體還將推出一款硅基中束流離子注入機，而其碳化硅大束流離子注入機則計劃于年底推向市場，有望填補國產(chǎn)設(shè)備在這一領(lǐng)域的空白。
離子注入機是芯片制造中僅次于光刻工藝的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其性能直接影響芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)器件的核心電學(xué)特性，對第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重要意義。由于技術(shù)門檻高、驗證周期長，該領(lǐng)域長期被國外廠商壟斷，國產(chǎn)化率較低，國內(nèi)廠商易受制于人。在此背景下，艾恩半導(dǎo)體等國內(nèi)企業(yè)積極布局，推動國產(chǎn)離子注入機的研發(fā)與應(yīng)用。
艾恩半導(dǎo)體成立于2024年，在魯信集團直管企業(yè)魯信創(chuàng)投的支持下，將總部遷至山東濟南高新區(qū)。魯信創(chuàng)投在艾恩半導(dǎo)體成立初期便進行投資孵化，并通過招商引資助其落戶山東，進一步完善了山東第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈。此舉不僅促進了上下游企業(yè)的協(xié)同發(fā)展，還助力打造空間集聚、功能關(guān)聯(lián)的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群。
圖源：艾恩半導(dǎo)體

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