據(jù)大眾日?qǐng)?bào)報(bào)道,艾恩半導(dǎo)體自主研發(fā)的第一代碳化硅離子注入機(jī)已進(jìn)入市場(chǎng)驗(yàn)證階段。此外,該公司對(duì)標(biāo)國(guó)際領(lǐng)先技術(shù)的第二代碳化硅離子注入機(jī)正在加速研發(fā),預(yù)計(jì)今年9月面市。今年6月,艾恩半導(dǎo)體還將推出一款硅基中束流離子注入機(jī),而其碳化硅大束流離子注入機(jī)則計(jì)劃于年底推向市場(chǎng),有望填補(bǔ)國(guó)產(chǎn)設(shè)備在這一領(lǐng)域的空白。
離子注入機(jī)是芯片制造中僅次于光刻工藝的關(guān)鍵環(huán)節(jié),其性能直接影響芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)器件的核心電學(xué)特性,對(duì)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重要意義。由于技術(shù)門(mén)檻高、驗(yàn)證周期長(zhǎng),該領(lǐng)域長(zhǎng)期被國(guó)外廠商壟斷,國(guó)產(chǎn)化率較低,國(guó)內(nèi)廠商易受制于人。在此背景下,艾恩半導(dǎo)體等國(guó)內(nèi)企業(yè)積極布局,推動(dòng)國(guó)產(chǎn)離子注入機(jī)的研發(fā)與應(yīng)用。
艾恩半導(dǎo)體成立于2024年,在魯信集團(tuán)直管企業(yè)魯信創(chuàng)投的支持下,將總部遷至山東濟(jì)南高新區(qū)。魯信創(chuàng)投在艾恩半導(dǎo)體成立初期便進(jìn)行投資孵化,并通過(guò)招商引資助其落戶(hù)山東,進(jìn)一步完善了山東第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈。此舉不僅促進(jìn)了上下游企業(yè)的協(xié)同發(fā)展,還助力打造空間集聚、功能關(guān)聯(lián)的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群。

圖源:艾恩半導(dǎo)體
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