據(jù)韓媒報道，三星電子近日明確表示，將在第七代10nm級DRAM內(nèi)存工藝（1d nm）之后導入垂直通道晶體管（VCT）技術。相關產(chǎn)品預計將在2至3年內(nèi)推出，這標志著DRAM技術將迎來一次重大革新。
三星在1d nm工藝之后的研發(fā)方向上，曾面臨兩種選擇：1e nm工藝與VCT DRAM技術。最終，三星選擇了更具創(chuàng)新潛力的VCT技術，并將原1e nm團隊整合至1d nm項目組，以集中資源加速開發(fā)進程。
VCT DRAM通過三維空間的高效利用，大幅提升了存儲密度，但其開發(fā)難度也極高。該技術需要突破傳統(tǒng)內(nèi)存的技術限制，并采用更為先進的封裝工藝。業(yè)內(nèi)人士指出，這一技術的突破或將為三星在DRAM市場帶來顯著競爭優(yōu)勢。
報道稱，隨著VCT技術的引入，三星有望進一步鞏固其在半導體存儲領域的領先地位，同時推動DRAM技術向更高性能和更高密度方向邁進。

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